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  • 发布了文章 2024-3-18 15:32
    今年2月,日本分两次发行了各8000亿日元的10年期气候转型国债和5年期同类债券(合计约110亿美元)。...
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  • 发布了文章 2024-3-13 14:31
    利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。...
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  • 发布了文章 2024-3-7 10:31
    集成电路制造关键装备要求零部件材料具有高纯度、高致密度、高强度、高弹性模量、高导热系数和低热膨胀系数等特点,且且结构件要具有极高的尺寸精度和结构复杂性,以保证设备实现超精密运动和控制。...
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  • 发布了文章 2024-3-6 10:48
    近日,钙钛矿飞秒加工团体标准获科技部中国国际科技促进会标准化工作委员会正式立项,青岛自贸激光科技有限公司担牵头起草重任。...
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  • 发布了文章 2024-2-27 10:28
    中国在碳化硅衬底领域的布局显示出了其对半导体材料自主供应链建设的重视。随着全球对高效能、高耐用性电子器件需求的增加,碳化硅衬底由于其在高温、高电压和高频率应用中的优异性能而变得越来越重要。...
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  • 发布了文章 2024-2-23 10:56
    国内2023年第三代半导体迎来历史性大突破,碳化硅(SiC)长晶、芯片材料自制领域,受到国际IDM大厂的肯定,这促使国内厂大幅加码扩产。...
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  • 发布了文章 2024-2-21 17:35
    根据功能划分,车规级芯片主要分为四类:计算及控制芯片、功率芯片、传感器芯片及其他芯片。计算及控制芯片以微控制器和逻辑 IC 为主,主要用于计算分析及决策。...
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  • 发布了文章 2024-2-21 14:36
    RVO 表示,对光伏电池板生产的奖励将仅限于建筑一体化(BIPV)和车用一体化(VIPV)应用产品,以及异质结组件或钙钛矿-晶硅叠层电池板。...
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  • 发布了文章 2024-2-21 09:32
    平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶,全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。...
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  • 发布了文章 2024-1-31 14:03
    尽管2023年的经济放缓缓解了供应限制,但随着全球新晶圆厂的增加,300毫米晶圆、外延晶圆、一些特种气体以及铜合金靶材的供应紧张预计将在2024年恢复。...
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  • 发布了文章 2024-1-29 09:50
    目前我国在硅料、硅片、电池片和光伏组件四大主链环节均已培育了世界级龙头厂商,全球硅料出货Cr5、全球电池片出货Top5、全球光伏组件Top10,以及硅片环节的龙头厂商均为国内厂商。...
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  • 发布了文章 2023-2-27 10:53
    在该研究中,团队先构筑了金属富勒烯Sc3C2@C80与环苯撑纳米环的超分子体系(Sc3C2@C80⊂TB[12]CPP和Sc3C2@C80⊂[12]CPP),然后,通过变温电子顺磁共振(EPR)和变温荧光测试获得了客体Sc3C2@C80的E...
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  • 发布了文章 2023-2-22 10:59
    我国的氧化镓衬底能够小批量供应,外延、器件环节产业化进程几乎空白,研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。...
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  • 发布了文章 2023-2-10 11:45
    研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上(ACS Nano,2021,15:16654),经过不断探索,通过插入合适的宽带隙材料(MgO)对势垒高度进行了调整,成功研发了由β-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃异...
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  • 发布了文章 2023-2-10 11:29
    仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是500,而氮化镓是900,效率非常高。...
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