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TKv6_DT_Semicon

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发布了文章 2024-6-4 10:24

GaN/金刚石功率器件界面的热管理

氮化镓(GaN)功率器件中千伏特击穿电压的演示长期以来一直激励着电力电子和其他应用的优化。这是由于电力系统中转换效率的潜力大大提高。GaN器件可分为横向和纵向器件结构，在横向器件中，电场在器件中横向排列，并被限制在氮化镓内部，但靠近表面...

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发布了文章 2024-4-24 10:53

钙钛矿太阳能电池稳定性要求所涉及的必要测试环节

通过制定和遵循相应的国际标准，可以有效地提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和可靠性，推动其商业化进程。...

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发布了文章 2024-4-24 10:50

钙钛矿太阳能电池生产的slotdie技术探析

狭缝模头具有高纵横比出口，可控制涂料液体最终输送到基材上。这导致在基材上连续生产宽涂层材料，其宽度可根据缝模出口的尺寸进行调整。...

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发布了文章 2024-4-24 10:48

影响钙钛矿太阳能电池稳定性的因素

周围环境中存在的水分对钙钛矿电池的制备和测试影响具有双面。研究发现，在一定的湿度条件下，周围环境中的水分将会有利于钙钛矿薄膜的生长结晶，减少薄膜中存在的缺陷，提钙钛矿薄膜的结晶质量，增强薄膜的载流子寿命，从而器件的光伏参数得到提升。...

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发布了文章 2024-4-24 10:45

二元有机太阳能电池效率新纪录诞生

基于BrBACz的OSC获得了19.70%的PCE, JSC为29.20 mA cm-2, VOC为0.856 V，这是迄今为止报道的二元OSC的最高值。...

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发布了文章 2024-4-24 10:42

晶体管级异质集成技术及其实用案例分析

化合物半导体微波器件的典型特点是不同结型器件性能差异明显，表1给出了几种常用的化合物半导体微波器件与Si CMOS性能对比，另外化合物半导体还拥有GaAs PIN二极管、GaAs超突变结变容管等多种功能器件。...

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发布了文章 2024-4-23 10:41

纤纳光电与浙能电力举行战略签约仪式钙钛矿商业化进程加速！

4月11日，杭州纤纳光电科技股份有限公司（“纤纳光电”）与浙能镇海发电公司下属宁波发电工程有限公司在浙江浙能电力股份有限公司（“浙能电力”）见证下举行战略签约仪式，共同擘画共同建设加速赋能钙钛矿商业化进程，以创新实践履行社会责任，为低碳富农...

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发布了文章 2024-4-16 11:07

钙钛矿太阳能电池退火工艺的研究与探索

钙钛矿退火是一个多目标的过程，旨在通过去除残余溶剂、稳定晶体结构、提高电子迁移率、消除杂质、调整结晶度和晶体形态、提高稳定性和耐久性以及促进薄膜的形成和生长，来提升钙钛矿电池的整体性能和使用寿命。...

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发布了文章 2024-4-14 09:56

布局碳基“芯”赛道，特思迪携手CarbonSemi共绘碳基“芯”版图

2023年对于特思迪来说，可谓是“厚积薄发”的一年。“相比2022年，特思迪营收增长了81.5%，实现公司连续4年的年均收入增长率高于80%的高增速；...

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发布了文章 2024-4-10 09:16

港华能源与协鑫光电将共建全球首个2平米钙钛矿叠层组件实证示范项目

近日，港华能源投资有限公司与协鑫科技旗下昆山协鑫光电材料有限公司（下称“协鑫光电”）签署战略合作，将在今年内共同建设全球首个产业化2平米尺寸的钙钛矿叠层组件实证示范项目。...

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发布了文章 2024-3-27 10:42

钙钛矿叠层电池：Topcon与HJT底电池性能对比研究

异质结电池结构相比Topcon 电池本身更适合叠层: 因为钙矿电池与异质结电池进行叠层，异质结电池表面本身就是 TCO，异质结电池的产线无需做更改。...

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发布了文章 2024-3-26 10:50

碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究

Si-Si键能大小为 310 kJ/mol，可以理解键能是把这两个原子拉开的力度，键能越大，需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å，键能大小为 447 kJ/mol。...

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发布了文章 2024-3-22 16:25

贺利氏集团投资金刚石半导体材料，与化合积电建立战略合作

2024年3月21日，总部位于哈瑙的家族企业和科技公司贺利氏，向位于中国的高端工业金刚石材料供应商化合积电（厦门）半导体科技有限公司（简称“化合积电”）投资数百万欧元。...

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发布了文章 2024-3-20 10:39

高效介孔钙钛矿太阳能电池的电子注入和缺陷钝化！

大多数钙钛矿太阳能电池(PSC)均采用分层结构，其中包括空穴传输层(HTL)和贵金属电极。可印刷介观钙钛矿太阳能电池(p-MPSC)不需要传统p-n结所需的额外空穴传输层，但也表现出约19%的较低功率转换效率。...

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发布了文章 2024-3-19 13:57

碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较

Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。...

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