发 帖  
  • 继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后...
    0
    1448次阅读
    0条评论
  • 我们知道,SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题,最近,日本东北大学提出了一项新的外延生长技术,据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%,沟道电阻可以降低85.71%,整体S...
    0
    4927次阅读
    0条评论
  • 据“行家说三代半”此前报道,6月26日,志橙半导体创业板IPO申请获受理,该公司将公开发行新股数量不超过2000万股,预计将8亿元募资资金投入于“SiC材料研发制造总部项目”、”SiC材料研发制造总部项目“以及”发展和科...
    0
    1063次阅读
    0条评论
  • 谱析光晶于2020年创立,今年7月,谱析光晶完成了Pre-B轮融资,资金主要用于进一步完善公司碳化硅生产基地的建设和光伏储能领域的研发投入。近两年,谱析光晶已累计完成5轮融资,加速碳化硅工厂的建设和规模化量产的落地。...
    0
    1210次阅读
    0条评论
  • 最近,“行家说三代半”发现,通用电气研究所(GE Research)发布文献称,他们已经制造出击穿电压为3.8kV 的SiC超结JBS器件,其导通电阻仅为4.5mΩ/cm²,这比传统的单极二极管极限低约45%。...
    1
    1289次阅读
    0条评论
  • 报告期内,天岳先进高品质SiC衬底获得国际客户的认可。今年5月,天岳先进与英飞凌签订了合作协议,8月24日,天岳先进与客户F签订了一份碳化硅采购协议,约定2024年至2026年向合同对方供应碳化硅产品,合同价值预估为8....
    0
    1698次阅读
    0条评论
  • Transphorm在公告中表示,他们的氮化镓将被用于大恒能源的Solar Unit产品线,GaN器件可以实现更小、更轻、更可靠的太阳能系统,同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量。Transphorm还表示,氮化镓技术...
    0
    2037次阅读
    0条评论
  • 据介绍,他们的新一代产品是基于6英寸晶圆平台进行开发,主要有4款新产品(K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3M080120-R4),导通电阻有80mΩ和40mΩ可选,封装方式有...
    0
    5009次阅读
    0条评论
  • 据“行家说三代半”此前报道,2022年2月,英飞凌宣布将投资超过20亿欧元(合计约144亿人民币)扩大SiC 和 GaN半导体的产能,他们将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区。...
    0
    1210次阅读
    0条评论
  • 近日,氮化镓行业新增了4个项目,涉及单晶衬底、器件等环节。...
    0
    1793次阅读
    0条评论
  • 在SEMICON China 2023上海展上,中国电科集团携集成电路、第三代半导体、半导体显示、光伏及热工等领域设备和工艺整体解决方案重装亮相,全面展示了最新实践和成果。...
    0
    1736次阅读
    0条评论
  • 通常GaN Hemt驱动存在2个难题:驱动电压低,容易误启动;栅极耐电压低,栅极容易损耗,因此需要专门的驱动器,不仅增加了设计复杂度,也额外增加了系统成本。...
    0
    1345次阅读
    0条评论
  • 俗话说,风浪越大鱼越贵,越是内卷越需要碳化硅。...
    0
    1665次阅读
    0条评论
  • 储能采用GaN即将量产

    2023-6-18 16:41
    6月16日,蜂巢能源称,他们首次发布了户储领域的核心创新产品——超薄户储逆变器。值得一提的是,该产品搭载了GaN技术。...
    0
    1330次阅读
    0条评论
  • 近日,韩国企业EQ TechPlus宣布,他们开发了一种下一代氧化膜沉积设备,用于大规模生产SiC功率半导体,与采用传统高温热氧化设备相比,该设备可以将SiC界面碳含量降低约50%。...
    0
    1437次阅读
    0条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 3 次赞同

    获得 0 次收藏
关闭

站长推荐 上一条 /9 下一条

返回顶部