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版图设计 厦门澎湃微电子有心公司
福建省 厦门市 设计开发工程
  • 来源:C Lighting 线边缘粗糙度(LER) 线边缘粗糙度(LER)指的是栅极图案边缘的随机变化,即印刷图案边缘的粗糙度。当最小特征尺寸减小到几十纳米以下时,LER对MOSFET性能的影响就无法忽视了。LER会在沟道长度方向上产生一些幸运(lucky)通道(即局部短沟道),从而导致器件之间的不匹配。例如,在Intel的65纳米器件中,当LER的标准偏差三倍值(3σ)大于标称栅极关键尺寸(critical dimension)的10%时,实验观察到了导通驱动电流(on-state drive current)下降了
    半导体芯科技SiSC
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  • 今天我们主要介绍的数字后端概念是Shape Blockage(形状阻碍物)。主要是用于在Design Planning时,阻碍工具在shape blocks时,在该处放置block。平时较少使用,如下图所示,工具不会在红字区域摆放block.
    LfZw_IC_Physica
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  • 作为第一次使用Tweaker的新手,可能会担心Tweaker流程很麻烦。 不过无需担心,Tweaker功能丰富,而且提供了完整的、经过大量项目验证的、可以直接使用的参考流程。只要简单配置一下输入文件,就可以快速地把Tweaker运行起来。 这篇短文将手把手教大家运行Tweaker,让你们直观感受Tweaker参考流程的魅力。 Job Monitor 分析剩余没有修掉的原因 查看修复结果 PR工具里实现ECO Testcase介绍 这里是一个真实的设计。刚运行完icc2,拿到了route_opt的database,PTSI的结果如
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