来源:C Lighting 线边缘粗糙度(LER) 线边缘粗糙度(LER)指的是栅极图案边缘的随机变化,即印刷图案边缘的粗糙度。当最小特征尺寸减小到几十纳米以下时,LER对MOSFET性能的影响就无法忽视了。LER会在沟道长度方向上产生一些幸运(lucky)通道(即局部短沟道),从而导致器件之间的不匹配。例如,在Intel的65纳米器件中,当LER的标准偏差三倍值(3σ)大于标称栅极关键尺寸(critical dimension)的10%时,实验观察到了导通驱动电流(on-state drive current)下降了