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GaN基Micro LED领域南京大学取得新突破
2023-7-7 12:41

GaN基Micro LED与其驱动（如HEMT、MOSFET等）的同质集成能充分发挥出GaN材料的优势，获得更快开关速度、更高耐温耐压能力以及更高效率的Micro LED集成单元，其在Micro LED透明显示、柔性显示...

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中科院8英寸SiC导电单晶研制成功
2023-7-5 14:59

8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题。...

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科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术
2023-6-25 14:47

科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键...

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3D封装正当时！
2023-6-21 16:43

华天科技：突破高端3D封装的屏障，助推国内Chiplet产业整体崛起...

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IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用
2023-6-21 11:24

IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展，提高了系统效率和可靠性。...

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一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET
2023-6-16 10:24

由于Fin沟道的夹断作用，可以采用欧姆接触阳极替代肖特基接触，形成无结二极管。因此，在反向续流时，无结的FD实现极低的反向导通电压（Von）。...

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氧化镓薄膜外延及电子结构研究
2023-5-24 10:44

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，有着显著的优势和巨大的发展潜力，越来越得到国内外的重视。...

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碳化硅晶片的磨抛工艺详解
2023-5-5 07:15

SIC晶体具有与GaN材料高匹配的晶格常数和热膨胀系数以及优良的热导率，是GaN基的理想衬底材料，如LED,LD。因此，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度，直接会影响外延薄膜的质量以及器件的性...

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IGBT技术发展历史 IGBT内部结构及工作原理
2023-4-4 11:14

根据应用场景的电压不同，IGBT有超低压、低压、中压和高压等类型，其中新能源汽车、工业控制、家用电器等使用的IGBT以中压为主，而轨道交通、新能源发电和智能电网等对电压要求较高，主要使用高压IGBT。...

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电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索
2023-3-29 14:55

碳化硅衬底产品通过外延和核心器件企业，制成的终端产品应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、电力电子等核心系统。...

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英飞凌碳化硅市占率剑指30%！
2023-3-17 10:48

至2023整个财年，英飞凌预计营收将达到约155亿欧元（±5亿欧元）。如果营收为预测区间的中点，则调整后的毛利润率预计将达到45%左右，利润率在25%左右（之前预计利润率约为24%）。...

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全国人大代表：加速发展下一代电池和车规级芯片等“卡脖子”技术
2023-3-14 10:25

近日，全国人大代表，长安汽车党委书记、董事长朱华荣在两会期间接受媒体采访时表示，中国品牌新能源乘用车市占率达80%，创历史新高，带动中国品牌市占率整体提升至50%。但面向未来，（中国新能源汽车）进一步由大做强仍然面临...

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西安邮电大学在8寸硅片氧化镓外延片取得重要进展
2023-3-13 12:25

氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。...

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荷兰限制半导体技术出口对行业有何影响？
2023-3-13 11:15

3月8日，荷兰政府表示，计划对半导体技术出口实施新的限制以保护国家安全，加入美国遏制对华芯片出口的行列。...

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氧化镓功率器件的研究新发展总结
2023-3-13 11:12

相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。...

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