dyxld7u6igd03的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

dyxld7u6igd03

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Si基GaN功率器件制备技术与集成
2023-8-9 16:10

宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。...

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以激光图形化技术实现全彩微型LED显示器量子点颜色转换层
2023-8-9 10:46

显示行业正在不断改善视觉体验，以满足日益增长的尖端显示应用需求，如增强现实（AR）和虚拟现实（VR）。...

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氧化镓的电子态缺陷研究
2023-8-9 10:41

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子...

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衬底工程对氮化物LED的影响研究
2023-8-8 11:28

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子...

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SiC MOSFET器件技术现状分析
2023-8-8 11:05

对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。...

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金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究
2023-8-7 14:37

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子...

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基于氧化镓材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究
2023-8-7 11:50

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子...

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面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术介绍
2023-8-4 14:57

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子...

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面向氮化镓光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
2023-8-4 11:47

以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。...

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基于Micro-LED的未来照明、显示与通信技术
2023-8-4 11:26

近年来，Micro-LED的研究成为国内外争相涉足的重要方向，我们国家也相当重视。“十四五”规划中也将Mini LED/Micro LED等列入发展重点。除了显示器之外，Micro-LED在照明和通信等方向都大有可为。...

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氧化镓材料生长与阵列探测器研究
2023-8-4 11:23

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子...

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金刚石基光电探测及激光器应用研究
2023-8-3 10:51

金刚石具有优良的光学性能，高质量 CVD 金刚石薄膜具有十分优良的光学性能，除 3~6 μm 范围内的双声子区域存在晶格振动而产生的本征吸收峰外，在室温下，从紫外至远红外甚至微波段，都有很高的透过性，理论透过率高达71....

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浪涌与雪崩高鲁棒性氧化镓功率二极管
2023-7-30 17:20

反向雪崩击穿和正向浪涌鲁棒性是半导体功率器件在高电场和大电流密度等极端条件下非平衡载流子动力学的基本特征，也是所有元器件在电动汽车、轨道交通、电网和新能源等实际应用场景中承受瞬态过压(Overvoltage)、过流(Ov...

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厦门大学团队研制成功拓扑自旋固态光源芯片
2023-7-15 16:36

高效率、小型化自旋极化光子源依赖于自旋量子态的有效操控与输运。传统自旋操控的条件苛刻，需要外加磁场或低温环境，且极化率低、稳定性差、易受电磁信号干扰。...

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芯元基实现高效纯红光量子点芯片技术分析
2023-7-13 11:03

芯元基的量子点MIP技术，在GaN晶圆的每个子像素的侧壁均做有金属电极结构，这种结构除了有利于像素的共阴极设计外，也可以更好的解决独立子像素间的光串扰问题，在RGB量子点模板上（QDCC），采用特定结构设计的光学反射镜，...

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