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安建科技推出基于七层光罩工艺的12英寸第七代IGBT芯片
2023-10-8 18:20

近期，半导体产业网记者从安建科技官微获悉，安建科技将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表...

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钙钛矿实现蓝光LED的三条“妙计”
2023-9-25 18:24

近年来，基于钙钛矿（Perovskite）材料的LED发光器件性能进展神速。得益于钙钛矿材料自身的优势，例如：工艺简单、色域宽、成本低、色纯度高等，红、绿两色钙钛矿LED（以下简称PeLED）的器件效率均超过25%，成为...

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纬湃科技开发出创新型功率模块，将采用传递模塑工艺制造
2023-9-14 09:20

据悉，该功率模块由三个包覆成型的半桥组成，构成逆变器系统的核心，控制高压电动汽车的驱动能量和能量回收。...

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深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究
2023-9-11 10:24

近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化镓（GaN）的3.39 eV。...

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意法半导体将为汽车T1厂博格华纳供应碳化硅器件
2023-9-6 10:07

　近日，意法半导体与知名汽车Tier 1制造商博格华纳达成了一项重要战略合作协议。该协议旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升级博格华纳的车规功率模块。...

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赛晶科技发布一种车规级HEEV封装SiC模块
2023-9-2 09:42

赛晶科技表示，为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。...

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山大与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面的突破
2023-8-31 16:13

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料, 具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、强化学稳定性等优良特性...

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格恩半导体发布十多款氮化镓半导体激光器
2023-8-31 10:41

氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点，波长范围覆盖可见光和紫外波段，应用场景包括激光显示、工业加工、激光照明、激光通讯、激光医疗等众多领域，近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势。由于氮化镓激光技术壁垒较...

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氧化镓功率器件研究成果
2023-8-24 17:43

随着电力电子技术在汽车电子、医疗器械、航空航天等领域的应用越来越广泛，宽禁带半导体材料与器件的研究和发展也进入了加速阶段。...

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氧化镓薄膜外延与电子结构研究
2023-8-17 14:24

氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。...

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芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品
2023-8-16 11:49

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠...

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首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线
2023-8-11 17:00

2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。...

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碳化硅MOSFET芯片设计及发展趋势
2023-8-10 18:17

随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。...

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SiC基微型核电池研究进展
2023-8-10 17:47

随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展，体积更小，功能更多，集成度更高的MEMS器件已经成为新的发展方向和研究热点。...

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高耐压氧化镓功率器件研制进展与思考
2023-8-9 16:14

以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。...

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