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华林科纳半导体设备制造

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行政品宣部苏州华林科纳半导体设备技术有限公司

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发布了文章 2021-12-13 10:02

光刻胶中金属杂质对硅基基质的吸附机理南通华林科纳分析

应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明，过渡金属(锌和锰)的迁移率比碱金属(铯)和碱...

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关注了版块 2021-12-10 08:55

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