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半导体行业：等离子工艺（十一）
2023-1-8 10:19

电介质薄膜经常使用氧气溅射刻蚀反应室进行某些处理，例如在间隙填充前首先在间隙边缘形成倾斜的侧壁，以及薄膜表面的平坦化。由于溅射刻蚀速率对晶圆的温度不敏感，所以并不需要带有夹环或E夹盘的氮气背面冷却系统。...

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半导体制造之等离子工艺详解
2022-12-29 17:28

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。...

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CVD过程中的等离子工艺
2022-12-27 15:34

CVD过程中，不仅在晶圆表面出现沉积，工艺室的零件和反应室的墙壁上也都会有沉积。...

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半导体行业：等离子工艺（七）
2022-12-19 15:11

下图显示了在一个不对称电极等离子体源中的电压情况，这两个电极具有不同面积。电流的连续性将产生所谓的自偏压，即在较小的电极上形成的负偏压。鞘层电压取决于两个电极面积的比例（见下图）。...

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磁场中的带电粒子介绍
2022-12-7 17:00

低频功率时，离子所获得的能量比在高频功率获得的能量稍高。低频使离子有较多的反应时间，所以能把离子加速到具有较高的能量，也因此能够提供更多的能量在离子轰击上。...

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等离子第一个电子是从哪里及如何产生的？
2022-11-21 10:24

当两个电极通过射频高电压时，它们之间就产生一个交流电场。如果射频功率足够高，自由电子受到交流电场的影响被加速，直到获得足够的能量和反应室中的原子或分子碰撞产生一个离子和另一个自由电子。...

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加热工艺发展趋势
2022-11-8 09:52

RTCVD过程可以用来沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在浅沟槽隔离工艺中使用CVD氧化硅填充沟槽。...

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RTO工艺的流程图
2022-11-1 10:05

RTCVD过程是在一个单晶圆、冷壁式的反应室中进行的加热CVD工艺，具有快速改变温度并精确控制温度的能力（见下图）。由于是单晶圆系统，所以必须有足够高的沉积速率使薄膜沉积过程在1 ~2 min内完成，这样才能达到每小...

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中国信通院实验室顺利完成了5G R17版本的 RedCap实验室测试
2022-10-27 11:31

本次测试采用中信科移动商用基站和必博科技5G RedCap终端原型验证平台，按照IMT-2020(5G)推进组编制的《5G 增强技术研发试验 NR RedCap 关键技术要求》规范要求，遵循《5G 增强技术研发试验 NR...

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双端口谐振器的Q值提取方法
2022-10-10 11:28

微波谐振器是微波工程里使用非常普遍的一类无源器件，它可以构成振荡器、滤波器的一部分，也可以用于各种测量或传感系统中（比如介电常数、表面阻抗测量系统，温湿度传感系统等）。谐振频率和品质因子（简称Q值）是衡量微波谐振器特性最...

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