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半导体之离子注入工艺简介
2023-5-4 11:12

半导体材料最重要的特性之一是导电率可以通过掺杂物控制。集成电路制造过程中，半导体材料（如硅、错或1E-V族化合物砷化镓）不是通过N型掺杂物就是利用P型掺杂物进行掺杂。...

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半导体刻蚀工艺简述
2023-4-21 09:20

等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系统，从长远来看，可以为客户节省大量费用，有可能促使IC制造商取代现有...

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半导体行业之刻蚀工艺介绍
2023-4-17 10:36

压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。...

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半导体行业之刻蚀工艺介绍
2023-4-10 09:40

金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。...

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多晶硅蚀刻工艺讲解
2023-4-3 09:39

下图显示了Intel的第6代晶体管（6T）SRAM尺寸缩小时间表，以及多晶硅栅刻蚀技术后从90nm到22nm技术节点6TSRAM单元的SEM图像俯视视图。可以看出，SRAM的布局从65nm节点已发生了革命性的变化，这种布...

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单晶硅刻蚀工艺流程
2023-3-30 09:39

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。...

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半导体制造中的等离子体刻蚀过程
2023-2-23 17:17

从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高，明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速率总和。...

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纯化学刻蚀、纯物理刻蚀及反应式离子刻蚀介绍
2023-2-20 09:45

刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。...

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等离子体刻蚀工艺简介
2023-2-17 09:44

铝刻蚀可以使用多种不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)所组成的混合物。...

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半导体制造之刻蚀工艺详解
2023-2-13 11:13

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。...

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单晶硅刻蚀与多晶硅刻蚀的区别在哪？
2023-2-13 11:11

磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨气(NH3)这两种副产品都可以溶于水。LOCOS工艺的场区氧化层生成后(或USG研磨和STI退火处理后)，这个技术至今仍在隔离形成工艺中被采用以去除氮化硅。...

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湿法刻蚀工艺的流程包括哪些？
2023-2-10 11:03

湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。...

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刻蚀工艺基础知识简析
2023-2-6 15:06

刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。...

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湿法和干法刻蚀图形化的刻蚀过程讨论
2023-2-1 09:09

刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜上...

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等离子体工艺回顾
2023-1-15 14:45

在ICP反应室中加入射频偏压系统就可以产生自偏压并控制离子的轰击能量。由于在高密度等离子体中的离子轰击会产生大量的热能，因此必须有一个背面気气冷却系统和静电夹盘控制晶圆的温度。...

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