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半导体制造之等离子工艺
2022-11-15 09:57

等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质沉积。离子注入使用等离...

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半导体制造之加热工艺
2022-11-12 09:13

激光退火系统采用激光光源的能量来快速加热晶圆表面到临界溶化点温度。由于硅的高导热性，硅片表面可以在约1/10 ns范围快速降温冷却。激光退火系统可以在离子注入后以最小的杂质扩散激活掺杂物离子，这种技术已被用于后45nm工...

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半导体加热工艺：RTO工艺的流程图
2022-11-1 10:02

由于是单晶圆系统，所以必须有足够高的沉积速率使薄膜沉积过程在1 ~2 min内完成，这样才能达到每小时生产30〜60片晶圆的生产能力。...

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半导体制造工艺之快速加热退火(RTA)系统
2022-10-24 09:26

离子注入后的快速加热退火(RTA)工艺是快速加热步骤 (RTP)中最常使用的一种技术。当离子注入完成后，靠近表面的硅晶体结构会受到高能离子的轰击而严重损伤，需要高温退火消除损伤来恢复单晶结构并激活掺杂离子。高温退火过程中...

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氮化硅LPCVD工艺及快速加热工艺(RTP)系统详解
2022-10-17 09:29

铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示了氮化硅在铜芯片中作为金...

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