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发布了文章 2022-12-7 17:00

磁场中的带电粒子介绍

低频功率时，离子所获得的能量比在高频功率获得的能量稍高。低频使离子有较多的反应时间，所以能把离子加速到具有较高的能量，也因此能够提供更多的能量在离子轰击上。...

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发布了文章 2022-12-5 11:31

半导体制造之等离子工艺

由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时，MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大，扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比，大粒子有更多概率和其他粒子发生碰撞，使其具有较短的MFP。改变压力会改变粒子密度，因此会影...

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发布了文章 2022-11-28 14:38

半导体制造之离子工艺

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞产生的自由基，自由基至少带有一个不成对的电子, 因此并不稳定。自由基在化学上非常活跃，能夺取其他原子或分子的电子形成稳定的分子。自由基能增强刻蚀和CVD反应室的化学反应。下图说明了分解碰撞过程。...

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发布了文章 2022-11-21 10:24

等离子第一个电子是从哪里及如何产生的？

当两个电极通过射频高电压时，它们之间就产生一个交流电场。如果射频功率足够高，自由电子受到交流电场的影响被加速，直到获得足够的能量和反应室中的原子或分子碰撞产生一个离子和另一个自由电子。...

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发布了文章 2022-11-15 09:57

半导体制造之等离子工艺

等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质沉积。离子注入使用等离子体源制造晶圆掺杂所...

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发布了文章 2022-11-12 09:13

半导体制造之加热工艺

激光退火系统采用激光光源的能量来快速加热晶圆表面到临界溶化点温度。由于硅的高导热性，硅片表面可以在约1/10 ns范围快速降温冷却。激光退火系统可以在离子注入后以最小的杂质扩散激活掺杂物离子，这种技术已被用于后45nm工艺技术节点。激光退火...

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发布了文章 2022-11-8 09:52

加热工艺发展趋势

RTCVD过程可以用来沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在浅沟槽隔离工艺中使用CVD氧化硅填充沟槽。...

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发布了文章 2022-11-1 10:05

RTO工艺的流程图

RTCVD过程是在一个单晶圆、冷壁式的反应室中进行的加热CVD工艺，具有快速改变温度并精确控制温度的能力（见下图）。由于是单晶圆系统，所以必须有足够高的沉积速率使薄膜沉积过程在1 ~2 min内完成，这样才能达到每小时生产30〜60片晶...

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发布了文章 2022-11-1 10:02

半导体加热工艺：RTO工艺的流程图

由于是单晶圆系统，所以必须有足够高的沉积速率使薄膜沉积过程在1 ~2 min内完成，这样才能达到每小时生产30〜60片晶圆的生产能力。...

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发布了文章 2022-10-27 11:31

中国信通院实验室顺利完成了5G R17版本的 RedCap实验室测试

本次测试采用中信科移动商用基站和必博科技5G RedCap终端原型验证平台，按照IMT-2020(5G)推进组编制的《5G 增强技术研发试验 NR RedCap 关键技术要求》规范要求，遵循《5G 增强技术研发试验 NR RedCap 关键...

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发布了文章 2022-10-24 09:26

半导体制造工艺之快速加热退火(RTA)系统

离子注入后的快速加热退火(RTA)工艺是快速加热步骤 (RTP)中最常使用的一种技术。当离子注入完成后，靠近表面的硅晶体结构会受到高能离子的轰击而严重损伤，需要高温退火消除损伤来恢复单晶结构并激活掺杂离子。高温退火过程中，掺杂物原子在热能的...

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发布了文章 2022-10-17 09:29

氮化硅LPCVD工艺及快速加热工艺(RTP)系统详解

铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示了氮化硅在铜芯片中作为金属沉积前的电介质层（...

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发布了文章 2022-10-10 11:28

双端口谐振器的Q值提取方法

微波谐振器是微波工程里使用非常普遍的一类无源器件，它可以构成振荡器、滤波器的一部分，也可以用于各种测量或传感系统中（比如介电常数、表面阻抗测量系统，温湿度传感系统等）。谐振频率和品质因子（简称Q值）是衡量微波谐振器特性最为关键的参数。本文对...

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