dyzacxahj059的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

dyzacxahj059

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晶圆制造的三大核心之薄膜沉积的原子层沉积（ALD）技术
2023-4-25 16:01

ALD技术是一种将物质以单原子膜的形式逐层镀在基底表面的方法，能够实现纳米量级超薄膜的沉积。...

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3D晶圆键合装备的工艺过程及研发现状
2023-4-20 11:47

设备由MEMS领域应用转化到3D集成技术领域，表现出高对准精度特点。大多数对准、键合工艺都源于微机电系统（MEMS）制造技术，但应用于3D集成的对准精度要比传统MEMS对准精度提高5～10倍，目前设备对准精度已经达到亚微...

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TSV核心技术：深硅刻蚀和电镀
2023-4-6 11:12

肖特基的硅片上制作孔专利此后， IBM开始在集成电路领域发力，并在垂直电互连方面取得了突破。...

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第四代宽禁带半导体材料——氮化镓
2023-2-23 14:57

第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料...

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2022年***ASML年度业绩情况分析
2023-2-1 14:11

22Q4业绩位居收入指引范围内。第4季度，ASML销售额64亿欧元，位于收入指引61-66亿欧元的中值附近，毛利率51.5%高于指引49%，净利润18亿欧元。...

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泛林集团的选择性刻蚀方法：Argos、Prevos和Selis
2023-1-31 09:47

微缩（即缩小芯片中的微小器件，如晶体管和存储单元）从来都不是容易的事情，但要想让下一代先进逻辑和存储器件成为现实，就需要在原子级的尺度上创造新的结构。当处理这么小的维度时，可以变化的空间微乎其微。...

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浅谈DRAM的电容技术演变进程
2023-1-12 09:18

可通过去除电容外部杂质硼和氢，减少电容器形成后的热量预算，消除泄漏电流的退化，而不改变电容器的结构或材料。...

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浅谈DRAM制造工艺及微缩挑战
2023-1-9 14:20

薄沉积的使用可以使抗蚀剂硬化，厚沉积的使用可以缩小临界尺寸（Critical Dimensions：CD）。...

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一文解析DRAM的制造工艺流程
2023-1-9 14:18

为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。...

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IC设计工艺之背面供电
2022-12-9 11:36

Beyne 说，由此产生的压降让芯片设计师越来越头疼。“电源必须通过意大利面条网络连接到晶体管。由于高压降，晶体管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。电阻太高。...

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深度解析国内EDA产业与IP核产业
2022-12-6 11:47

在集成电路的早期发展阶段，由于芯片复杂度低，芯片设计人员可以通过手工操作完成电路图、版图的设计等工作。...

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