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dyzacxahj059

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发布了文章 2023-1-4 15:49

台积电：未来十年的CMOS器件技术

添加更多的栅极（例如在 FinFET 中），将使其中的沟道被限制在三个栅极之间，从而能够将 Lg 缩放到沟道厚度的大约 2.5 倍。FinFET 已经从英特尔最初采用的高度倾斜鳍壁（highly sloped fin walls ）的 22...

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发布了文章 2022-12-20 14:52

志橙半导体：半导体芯片设备提供核心部件-SiC涂层石墨基座

志橙半导体成立于2017年底，专注于为半导体芯片设备提供核心部件-SiC涂层石墨基座，据称是国内首家、也是唯一一家实现石墨盘产业化的细分领域头部企业，现拥有三家全资子公司，生产基地是全资子公司东莞市志橙半导体材料有限公司，计划在广州建设Si...

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发布了文章 2022-12-20 14:23

微导纳米募集资金10亿元将聚焦光伏、半导体两大赛道

2019年、2020年和2021年，微导纳米的营收分别为2．16亿元、3．13亿元和4．28亿元；净利润分别为5455．11万元、5701．44万元和4611．37万元，扣非后净利润分别为5289．30万元、5098．54万元和2668．9...

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发布了文章 2022-12-9 14:59

晶体管缩放：将FinFET扩展到5nm以上;启用门全方位拐点

FinFET路线图有三个重要的技术挑战：翅片弯曲、高k金属栅极（HKMG）和接口关键尺寸缩放以及源极/漏极电阻。应用材料公司正在使用新材料和工艺协同优化的组合来帮助解决每个问题。...

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发布了文章 2022-12-9 11:36

IC设计工艺之背面供电

Beyne 说，由此产生的压降让芯片设计师越来越头疼。“电源必须通过意大利面条网络连接到晶体管。由于高压降，晶体管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。电阻太高。...

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发布了文章 2022-12-6 11:47

深度解析国内EDA产业与IP核产业

在集成电路的早期发展阶段，由于芯片复杂度低，芯片设计人员可以通过手工操作完成电路图、版图的设计等工作。...

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发布了文章 2022-11-11 14:45

海力士：引领High-k/Metal Gate工艺变革

栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成，在晶体管开关功能中发挥主要作用。栅氧化层由SiON氧化物绝缘体和聚硅基电极组成。...

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发布了文章 2022-11-7 11:43

蔡司PROVE - 光掩膜量测解决方案

和晶圆制造工艺类似，图形放置位置是光掩膜量测中相当重要的一部份。完整的芯片设计不仅对每一层光掩膜的特征图形位置有严格的精准度要求，并且为了得到能正常运行的电子组件...

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