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一文了解三菱电机高压SiC芯片技术
2024-12-18 17:35

三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，是一家在市场上拥有良好业绩记录的SiC器件制造商。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。...

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三菱电机1200V级SiC MOSFET技术解析
2024-12-4 10:50

1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品，本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术...

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三菱电机将新建功率半导体模块封装与测试工厂
2024-11-20 17:57

三菱电机集团近日宣布，将投资约100亿日元，在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封装与测试工厂。该计划最初于2023年3月14日宣布，预计于2026年10月开始运营。...

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一文详解SiC栅极绝缘层加工工艺
2024-11-20 17:38

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。...

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三菱电机提供200Gbps PIN-PD芯片样品
2024-11-14 15:06

三菱电机集团近日宣布提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管（PD）芯片样品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片，将使传输速度为800Gbps/...

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三菱电机供应12英寸功率半导体芯片
2024-11-14 15:03

三菱电机集团近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工厂即日起开始大规模供应采用12英寸硅（Si）晶圆制造的功率半导体芯片，用于半导体模块的组装。这些先进的Si功率半导体模块初期将应用于消费...

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深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块
2024-11-14 14:59

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（CP...

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深度了解SiC的晶体结构
2024-11-14 14:57

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化学计量比组成的晶体，因其内部结构堆积顺序的不同，形成不同的SiC多型体，本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。...

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深度了解SiC材料的物理特性
2024-11-14 14:55

与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。...

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一文详解SiC的晶体缺陷
2024-11-14 14:53

SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。...

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一文详解SiC单晶生长技术
2024-11-14 14:51

高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。...

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SiC单晶衬底加工技术的工艺流程
2024-11-14 14:49

SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。本文介绍了几种SiC单晶的切割加工技术以及近年来新出现的晶圆制备方法。...

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SiC外延生长技术的生产过程及注意事项
2024-11-14 14:46

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。...

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三菱电机提供SiC MOSFET裸片样品
2024-11-14 14:43

近日，三菱电机集团宣布，将于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首...

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SiC的离子注入工艺及其注意事项
2024-11-9 11:09

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。...

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