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  • 三菱电机集团今日(2025年12月2日)宣布,将于12月9日发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块,包括标准绝缘(6.0kVrms)封装和高绝缘(10.0kVrms)封装。这些大容量功率模块专为轨道交通...
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  • SiC器件具有低开关损耗,可以使用更小的散热器,同时可以在更高开关频率下运行,减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源,可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业电源应用的SiC MOSFET模块,本章节...
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  • 2025年11月7-10日,第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会第二十八届学术年会(CPEEC&CPSSC 2025)在深圳国际会展中心盛大启幕。...
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  • 2025海信集团全球供应链合作伙伴峰会于10月16日在青岛香格里拉举行。本届 峰会以“智链全球,韧性共生”为主题,重点聚焦低碳创新与全球供应链协同,强调智能化与供应链韧性建设。在本次峰会上,三菱电机从300多家企业中脱颖...
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  • 时光见证创新,盛会圆满收官。2025年9月26日,为期3天的PCIM Asia Shanghai 2025在上海新国际博览中心落下帷幕,让我们一起回顾三菱电机展台不容错过的精彩内容!...
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  • 菱电机集团昨日(2025年9月11日)宣布,将于9月22日开始供应针对家用及工业设备(如柜式空调、热泵采暖及热水系统)的新紧凑型DIPIPM功率半导体模块。新的Compact DIPIPM系列产品包括PSS30SF1F6...
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  • 铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件,正朝着高可靠性、高功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件,但是SiC MOSFET模块的应用正在加速。本文重点介绍三菱电机SiC MO...
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  • 随着市场需求的不断增长,SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛,已经成为推动电动汽车电气化和高效能的重要技术之一。上一篇我们介绍了三菱电机SiC MOSFET模块的芯片、封装和短路保护技术,本章节主要介绍三菱电机...
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  • 随着市场需求的不断增长,SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛,已经成为推动电动汽车高效能的重要技术之一。本章节主要带你探究三菱电机的SiC MOSFET模块在电动汽车主驱中的应用。...
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  • 三菱电机于1997年将DIPIPM正式推向市场,迄今已在家电、工业和汽车空调等领域获得了广泛应用。在Si-IGBT DIPIPM基础上,三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM,本章节主要介绍全SiC和混...
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  • 三菱电机于1997年将DIPIPM正式推向市场,迄今已在家电、工业和汽车空调等领域获得了广泛应用。在Si-IGBT DIPIPM基础上,三菱电机开发了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM,本章节主要介绍超小型全Si...
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  • 为了安全使用SiC模块,需要计算工作条件下的功率损耗和结温,并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处,也有不同。相对IGBT,MOSFET可以反向导通,即工作在同步整流模式。本文简要介绍其损耗计算...
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  • 三菱电机集团近日宣布与GE Vernova公司(美国马萨诸塞州剑桥)签署谅解备忘录,强化双方在高压直流(HVDC)输电系统用功率半导体领域的合作。该协议源于日本经济产业省(METI)与GE Vernova共同发起的&qu...
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  • 截至2025年3月31日的财年,半导体器件实现了2863亿日元的营收实绩,占三菱电机全业务线的5.2%。营业利润率连续两年创历史新高。由于新工厂(日本熊本县)投产及汇率假设调整,ROIC实绩及预期将暂时下降,计划通过维持...
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  • 在电力电子领域,当多个SiC MOSFET模块并联时,受器件参数、寄生参数等因素影响,会出现动态电流不均的问题,制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。...
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