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jf_11114422

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收藏了文章 2024-9-14 13:11

光刻胶剥离工艺—《华林科纳-半导体工艺》

摘要新的全湿剥离工艺在去除高度注入的光刻胶时不需要干等离子体灰化工艺，同时保持低缺陷水平和至少相当于记录工艺的高产量性能。灰化步骤的消除减少了不希望的基板损坏和材料损失，改善了周期时间，释放了晶圆厂占地面积，并降低了资本投资和运营成本。 ...

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收藏了文章 2024-7-29 10:04

关于氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进

摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水（ＤＩＷ）清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水清洗不当造成的表面缺陷的形成机理，并通过合理...

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