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jf_65640321
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  • 赞同了文章 2024-7-28 15:54

    igbt驱动电压过高过低的后果
    IGBT的工作原理和结构 IGBT是一种三端子功率半导体器件，由N型外延层、P型衬底、N型缓冲层、P型集电区、N型发射区、栅极和发射极组成。IGBT的工作原理是利用MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性，实现高电压、大电流的...
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