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  • 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
    电子工程师
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