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caijue123

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经理华虹

浙江省宁波市丨设计开发工程

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关注了版块 2023-4-14 14:10

电子元器件论坛
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收藏了文章 2023-3-9 22:57

EDA技术探索之源漏穿通解析

以NMOS为例在源漏穿通发生之后，对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后，有一定可能被电场直接扫进漏极，进而被漏极收集，从而实现电流从源极到漏极的导通。...

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EDA技术探索之源漏穿通解析

以NMOS为例在源漏穿通发生之后，对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后，有一定可能被电场直接扫进漏极，进而被漏极收集，从而实现电流从源极到漏极的导通。...

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控制阈值电压

此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。...

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EDA探索之控制阈值电压

精确控制集成电路中MOSFET的阈值电压对电路的可靠性至关重要。通常情况下，阈值电压是通过向沟道区的离子注入来调整的。...

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EDA探索之控制阈值电压

精确控制集成电路中MOSFET的阈值电压对电路的可靠性至关重要。通常情况下，阈值电压是通过向沟道区的离子注入来调整的。...

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EDA探索之GIDL技术分析

一般来讲，我们认为器件在线性区漏极电压很小，没有GIDL现象。从上图明显可以看到在0V时Idsat曲线比Idlin曲线的电流高了两个数量级。在反方向继续扫描Idsat曲线，Ioff反而会进一步升高。...

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EDA探索之GIDL技术分析

一般来讲，我们认为器件在线性区漏极电压很小，没有GIDL现象。从上图明显可以看到在0V时Idsat曲线比Idlin曲线的电流高了两个数量级。在反方向继续扫描Idsat曲线，Ioff反而会进一步升高。...

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