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工程师 安森美
江苏省 苏州市 设计开发工程
  • 赞同了文章 2024-6-19 16:23
    IGBT模块驱动及保护技术 摘要:对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过...
    3
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  • 收藏了帖子 2024-1-9 07:29

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    运维 深圳长电科技有限公司
    我根据网上的资料了解到,Qg的定义为mos管完全打开时,栅极储存的电量,而我的理解是mos完全打开就是指当VGS=VGS(th)的时候。但是我从一些资料里面了解到,当驱动电流在给CGS充电时,电压就已经达到VGS(th)了,也 ...
    来源:电子元器件论坛 标签: mos
  • 关注了版块 2024-1-9 07:24

    电源技术论坛

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  • 关注了频道 2024-1-8 19:49
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