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  • 发布了文章 7 天前

    晶圆为什么要减薄
    300mm晶圆的厚度为775um，200mm晶圆的度为725um，这个厚度在实际封装时太厚了。前段制程中晶圆要被处理、要在设备内和设备间传送，这时候上面提到的厚度是合适的，可以满足机械强度的要求，满足晶圆的翘曲度的要求。但封装的时候则是薄一...
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  • 发布了文章 2024-12-20 10:58

    半导体芯片的制造工艺流程
    CMOS可用于逻辑和存储芯片上，它们已成为IC市场的主流。 CMSO电路： 下图显示了一个CMOS反相器电路。 从图中可以看出它由两个晶体管组成，一个为NMOS，另一个为 PMOS。 当输入为高电压或逻辑1时，NMOS 就会被开启而 PMO...
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    366次阅读
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  • 发布了文章 2024-12-18 10:38

    探秘合成大尺寸单晶金刚石的路线与难题
    金刚石因其优异的机械、电学、热学和光学性能，展现出广阔的发展前景。然而，目前工业上通过高温高压法批量生产的单晶金刚石尺寸通常小于10毫米，这极大限制了其在许多领域的应用。因此，实现大尺寸金刚石的合成已成为亟待解决的关键问题。 01 合成路线...
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  • 发布了文章 2024-12-17 11:26

    CMP技术原理,面临的挑战及前景分析
    在半导体制造这个高度精密且复杂的领域中，CMP（化学机械抛光）技术宛如一颗隐匿于幕后的璀璨明珠，虽不被大众所熟知，却在芯片制造的进程中扮演着不可或缺的关键角色。今天，就让我们一同深入挖掘 CMP 技术，揭开它神秘的面纱。 CMP技术的基本原...
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  • 发布了文章 2024-12-17 11:13

    干法刻蚀时侧壁为什么会弯曲
    离子轰击的不均匀性 干法刻蚀通常是物理作用和化学作用相结合的过程，其中离子轰击是重要的物理刻蚀手段。在刻蚀过程中，离子的入射角和能量分布可能不均匀. 如果离子入射角在侧壁的不同位置存在差异，那么离子对侧壁的刻蚀效果也会不同。在离子入射角较大...
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    165次阅读
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  • 发布了文章 2024-12-10 11:36

    晶圆划片为什么用UV胶带
    晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同： 厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问...
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  • 发布了文章 2024-12-10 10:02

    β相氧化镓p型导电的研究进展
    β 相氧化镓（β-Ga2O3）具有超宽半导体带隙、高击穿电场和容易制备等优势，是功率器件的理想半导体材料。但由于 β-Ga2O3价带顶能级位置低、能带色散关系平坦，其 p 型掺杂目前仍具有挑战性，限制了 p-n 结及双极性晶 体管的开发。利...
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    434次阅读
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  • 发布了文章 2024-12-9 09:20

    市场上哪些功率半导体产品最受青睐?有哪些独特优势
    随着全球对环境保护意识的增强和能源结构的转型，光储充系统作为连接光伏发电、储能装置和电动汽车充电站的重要桥梁，正迎来前所未有的发展机遇。而功率半导体，作为光储充系统中的核心器件，其性能和技术水平直接影响着整个系统的效率和可靠性。 那么，当前...
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    233次阅读
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  • 发布了文章 2024-12-7 10:39

    天域半导体8英寸SiC晶圆制备与外延应用
    碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一，近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升，其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸（1英寸=25.4 mm）晶圆为主，但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸S...
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    340次阅读
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  • 发布了文章 2024-12-4 14:10

    大马士革铜互连工艺详解
    芯片制造可分为前段(FEOL)晶体管制造和后段(BEOL)金属互连制造。后段工艺是制备导线将前段制造出的各个元器件串连起来连接各晶体管，并分配时钟和其他信号，也为各种电子系统组件提供电源和接地。...
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    987次阅读
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  • 发布了文章 2024-12-3 09:38

    中欣晶圆12英寸BCD硅片技术突破
    在本文中，我们重点讨论高密度共封装光学器件 （CPO） 应用中的光学接口挑战，在这些应用中，除了众所周知的低损耗、宽带和偏振无关光学耦合要求外，还增加了组装产量和可扩展性。尽管已经使用绝缘体上硅 （SOI） 平台 220nm 厚的晶体硅层中...
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    329次阅读
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  • 发布了文章 2024-11-27 11:50

    一文读懂芯片半导体梳理解析
    当下一切都在围绕国产替代展开，加上高层发话：推进中国式现代化，科技要打头阵。科技创新是必由之路。那么当下市场主线清晰——科技自主可控！ 半导体行业是自主可控最核心的领域，近年来技术的进步日新月异，包括先进制程工艺、封装测试技术、新型存储器等...
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    686次阅读
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  • 发布了文章 2024-11-22 11:14

    从发展历史、研究进展和前景预测三个方面对混合键合(HB)技术进行分析
    摘要: 随着半导体技术的发展，传统倒装焊( FC) 键合已难以满足高密度、高可靠性的三维( 3D) 互连技术的需求。混合键合( HB) 技术是一种先进的3D 堆叠封装技术，可以实现焊盘直径≤1 μm、无凸点的永久键合。阐述了HB 技术的发展...
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    413次阅读
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  • 发布了文章 2024-11-22 09:57

    掀起Mini/Micro LED领域新浪潮
    显示行业背景 传统LED的封装环节，一般通过吸盘采用真空吸取，通过机械臂转移到指定位置后再进行放置的方式实现。Mini/Micro LED的尺寸基本小于50 μm，而吸盘能够吸取的最小尺寸极限在80 μm，因此真空吸附的方式不适用于Mini...
    0
    457次阅读
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  • 发布了文章 2024-11-21 16:33

    晶圆表面污染及其检测方法
    晶圆表面洁净度会极大的影响后续半导体工艺及产品的合格率。在所有产额损失中，高达50%是源自于晶圆表面污染。 能够导致器件电气性能或器件制造过程发生不受控制的变化的物体统称为污染物。污染物可能来自晶圆本身、洁净室、工艺工具、工艺化学品或水。晶...
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