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工程 骊微科技
广东省 深圳市 设计开发工程
  • PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,输出电压3.3V~24V可通过FB电阻调整,适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构,广泛应用于非隔离辅助电源、家电、智能家居、...
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  • MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;Pmos管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全截止。100vp型mos...
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  • 受多重因素影响,芯片的供应紧张仍未缓解,在缺“芯”困局之下,国产替代的呼声愈发高涨,许多国产厂商选择“PINtopin”的替代模式入局,骊微电子代理的启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp...
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  • MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。P...
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  • PN8192C是一款高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源,集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET,可以兼容替代LNK364,广泛应用于家电、LED照明、工业控制等领域。LNK364替代芯片PN8192...
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  • 氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇,在氮化镓快充市场迅速增长之际,65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点,从而率先成为了各大品牌的必争之地,ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片,适用...
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  • SVGP069R5NSA采用sop-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,14A、60V的电流、电压,RDS(on)=8.0mΩ(typ),最高栅源电压@VGS=±20V,典型应用于10W-44...
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  • 士兰微mos管产品主要包括低高压、超结mos管,实现了沟槽栅低压MOS,沟槽屏蔽栅SGT-MOS,超级结MOS和IGBT等多个产品的量产,广泛应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等,缺货涨价潮助力国产...
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  • PN7709双通道H桥电机驱动芯片替代MP6612/MP6619,满足了低电压,大电流,低功耗,过流保护的运用市场,骊微电子广泛应用于智能门锁、摄像头、家电、智能电表、直流有刷电机应用等领域。MP6612/MP6619替...
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  • AP8012H代换STViper12A,AP8012H芯片各个引脚功能跟VIPer12A各引脚功能都是一样的,工作原理也相同,可在不改PCB,不改外围参数的情况下实现PINtoPIN兼容。AP8012HDIP代换STVi...
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  • AMS1117是一个三端稳压器,它的稳压调整管是由一个PNP驱动的NPN管组成,有固定和可调两个版本可用,输出电压可以是:1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,2.85V,3.0V,3.3V,和5.0V。AMS1117...
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  • EUP3284芯片内部集成142/103mΩ的DMOS开关管,输入电压4.5V至24V,输出电压可调0.92V至20V,提供高达3A的负载电流,在实际应用中可兼容替换MP2303,被广泛应用于分布式电源系统、网络系统、P...
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  • 电子代理商是电子产业不可或缺的一环,推动着电子产业高速发展。其灵活、无孔不入的特点使得元器件代理商能够渗透到整个电子产业及供应链的方方面面,在缺芯环境下,为扩大市场影响力、推进电子元器件事业的快速发展,骊微电子续签启辰微...
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  • 30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的...
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  • 常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动,和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等,ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极...
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