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工程 骊微科技
广东省 深圳市 设计开发工程
  • 骊微电子65w氮化镓充电器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降压芯片NDP1460PQB和PD协议芯片XPD737+XPD767套片组合,2C1A接口配置,USB-C1/C2接口...
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  • ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等...
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  • 自iPhone8开始,后续的苹果手机都支持快充,然而随着iPhone12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统,从iPhone的全球出货量来看,已经造成了上亿规模的快充市场空缺,深圳市骊微电子科技有限公司专注于...
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  • 充电器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型,充电器中的核心元器件为充电器ic芯片,在充电环境中起到了至关重要的作用,选择合适的充电器电源芯片将大大延长电路寿命...
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  • 30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的开...
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  • MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果,充分发挥其“螺丝钉”的作用,30V-200...
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  • 常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动,和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等,ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极...
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  • 65WPD快充方案不但可以支持手机的大功率快速充电还可以支持20V输出,可以为电脑充电,具有通用性好的优点,搭配氮化镓,体积可以做到很小,骊微电子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080,具有小体积、...
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  • OB3353是一款具有成本效益的LED驱动器,广泛应用于LCD显示器和LCDTV背光,随着国际市场芯片缺货及疫情等外部因素的影响下,加速了半导体行业国产替代的步伐,骊微电子推出OB3353国产替代料AP3160高性能异步...
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  • 自从iPhone12系列手机取消标配充电器以来,各大手机品牌纷纷跟进,目前Apple手机/平板电脑等多种数码产品充电功率需求进一步提升,20W快充已经无法满足快速充电需求,30WPD快充成了继20WPD快充之后的另一大潜...
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  • PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN80155V0.2A风扇方案:■输入电压:90~265V■...
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  • 随着DoE六级能效及CoCV5Tier2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案:PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%,效率高达87%,满足...
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  • 在2019(春季)USBPD&Type-C亚洲大会,芯朋微应用技术总监王旷先生发布了《如何让PD快充及无线充方案更精简?》主题演讲,并现场发布了一套外围极简、极具成本优势的18WUSBPD快充充电器方案PN8161+PN...
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  • PN8306M/H同步整流电源芯片,与PN8370、PN8386配合使用,轻松实现5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。PN8306M5v同步整流降压芯片特性:1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器,...
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  • PN8386-5v3a充电器方案特征:■输入电压:90~265V全电压■输出功率:15W■输出电压:5V■输出电流:3A±3%■效率:85.64%■高压启动+多工作模式+同步整流技术,满足COCV5Tier2■PN838...
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