NMOS(N型金属氧化物半导体)和PMOS(P型金属氧化物半导体)是两种基本的场效应晶体管(FET)类型,它们在电子设备中发挥着至关重要的作用。了解这两种晶体管的电流流向以及导通条件对于理解它们的工作原理和应用至关重要。
导通条件
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);
PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比