周明收藏的文章_存储技术,通信网络,工程师 - 电子技术论坛 - 广受欢迎的专业电子论坛!

发帖

周明

经验：积分：2

工程师华虹

上海市浦东新区丨生产品质管理

查看完整档案 >>

+关注发私信

文章 1 资料 0 帖子 0 产品 0 方案 0

三星3nm工艺创新采用‘GAAFET结构’ 芯片面积减少45％ 2019-05-17 11:29

韩国三星电子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上发布工艺设计套件（PDK）0.1版3nm Gate-All-Around（GAA）工艺3GAE。与7 nm工艺相比，3GAE可将芯片面积减少高达45％，降低50％的功耗或实现35％的性能提升。基于GAA的过程节点有望用于下一代应用，如移动，网络，汽车，AI和物联网。 3GAE的特点是采用GAA的专利变体MBCFET（多桥通道FET）而不是传统的GAA，该公司已经完成了测试车辆设计，并将专注于提高其性能和功率效率。图：晶体管结构的转变在传统的GAA中，

jf_1689824270.4192

7846次阅读

0条评论

ta 的专栏

成就与认可

获得 0 次赞同
获得 1 次收藏

关注

粉丝

关闭

站长推荐 /6

返回顶部

- 技术社区: HarmonyOS技术社区

RISC-V MCU技术社区

FPGA开发者技术社区

- OpenHarmony开源社区: OpenHarmony开源社区

- 嵌入式论坛: ARM技术论坛

STM32/STM8技术论坛

嵌入式技术论坛

单片机/MCU论坛

RISC-V技术论坛

瑞芯微Rockchip开发者社区

FPGA|CPLD|ASIC论坛

DSP论坛

- 电路图及DIY: 电路设计论坛

DIY及创意

电子元器件论坛

专家问答

- 电源技术论坛: 电源技术论坛

无线充电技术

- 综合技术与应用: 机器人论坛

USB论坛

电机控制

模拟技术

音视频技术

综合技术交流

上位机软件（C/Python/Java等）

- 无线通信论坛: WIFI技术

蓝牙技术

天线|RF射频|微波|雷达技术

- EDA设计论坛: PCB设计论坛

DigiPCBA论坛

Protel|AD|DXP论坛

PADS技术论坛

Allegro论坛

multisim论坛

proteus论坛|仿真论坛

KiCad EDA 中文论坛

DFM|可制造性设计论坛

- 测试测量论坛: LabVIEW论坛

Matlab论坛

测试测量技术

传感技术

- 招聘/交友/外包/交易/杂谈: 项目外包

供需及二手交易

工程师杂谈|交友

招聘|求职|工程师职场

- 官方社区: 发烧友官方/活动

华秋商城

华秋电路

time

recommend

hot

post

—
—
—

版
块
导
航