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周明

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工程师华虹

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三星3nm工艺创新采用‘GAAFET结构’ 芯片面积减少45％ 2019-05-17 11:29

韩国三星电子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上发布工艺设计套件（PDK）0.1版3nm Gate-All-Around（GAA）工艺3GAE。与7 nm工艺相比，3GAE可将芯片面积减少高达45％，降低50％的功耗或实现35％的性能提升。基于GAA的过程节点有望用于下一代应用，如移动，网络，汽车，AI和物联网。 3GAE的特点是采用GAA的专利变体MBCFET（多桥通道FET）而不是传统的GAA，该公司已经完成了测试车辆设计，并将专注于提高其性能和功率效率。图：晶体管结构的转变在传统的GAA中，

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