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通过任意长度的铜线控制远端负载的电压
2023-2-14 09:43

在功率分配系统中，由于稳压器和负载之间的电缆 / 导线压降而产生稳压问题是很常见。导线电阻、电缆长度或负载电流的任何增加都会使配电线上的压降增大，从而扩大负载上的实际电压与稳压器所获电压之间的差异。...

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AlN钝化器件电流崩塌分析
2023-2-14 09:31

本研究采用PEALD沉积AlN材料作栅绝缘层的同时，利用其作为器件表面钝化层材料，本节即采用脉冲测试方法研究了PEALD沉积AlN钝化器件的电流崩塌特性，并将其与常规的PECVD沉积SiN钝化层材料进行了对比分析。...

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AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作
2023-2-14 09:31

绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、2...

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AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性
2023-2-14 09:18

关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，漏极电压Vd设定在0V，反向栅...

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4英寸半绝缘自支撑氮化镓晶圆片量产
2023-2-14 09:18

由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频器件等。相比异质衬底外延，基于自支撑氮化镓晶圆片的同质外延可能是大多氮化镓基器件的...

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AIN/AIGaN/GaN MIS异质结构C-V分析
2023-2-14 09:17

C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。...

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Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性
2023-2-14 09:16

通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于材料属性和生长工艺的局限性，采用AIN完全代替Al2...

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氮化镓属于无机非金属材料吗
2023-2-13 17:42

　　20世纪40年代后，传统的铝硅酸盐材料被选为无机非金属材料，与有机聚合物材料和金属材料并列为三大材料之一。无机非金属材料是由一些原始氮化合物和卤素灯泡化学品、金属氧化物和渗碳体、硼化物及其铝硅酸盐、铝盐、硼酸盐和多磷...

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GaN的衬底类型及在5G通信中的应用
2023-2-13 17:31

　　氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，因此可以...

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氮化镓技术在电源应用方面的优势
2023-2-13 17:24

　GaN和SiC属于高带隙的第三代半导体材料，与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比，它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率，GaN器件可以在200°C以上的高温下工作，并且可以承载更高的能量密度和更高的可靠...

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采用GaN技术的充电器的优点和缺点
2023-2-13 17:01

　　氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，因此可以...

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第三代半导体GaN材料的应用优缺点
2023-2-13 16:46

　　GaN功率电子器件具有较高的工作电压、较高的开关频率、较低的导通电阻等优点，能够以极低的成本和较高的技术成熟度兼容硅基半导体集成电路工艺，在新一代高效、小型功率转换和管理系统中具有巨大的发展潜力，电力机车、工业电动机...

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氮化镓属于什么晶体，GaN材料具有哪些优势
2023-2-13 16:28

　　氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率，导致了更高的击穿强度、...

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具2.5μA静态电流和超低EMI的42V单片式同步降压型稳压器
2023-2-13 15:56

高效率、低EMI降压型稳压器广泛见诸于汽车、工业、医疗和电信环境，用于依靠多种输入源为各式各样的应用供电。特别是在电池供电型应用中，大量时间处于待用模式，因而要求所有的电气电路以低静态电流工作，旨在延长电池运行时间。...

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JFET提高线性稳压器的额定电压
2023-2-13 15:55

通过在级联中增加一个带有线性稳压器的JFET（图1），可以扩展稳压器的输入电压范围。所示稳压器适合电池供电应用，因为无论输出电流水平如何，其CMOS电路的最大电流仅为12μA。芯片的 V在但是，16.5V的限值不包括某些...

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