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如何将光强度转换为电量
2023-2-16 10:12

图1显示了相应的电路设计，用于测量可见光谱上的光强度，其中植物具有光合作用活性。这里使用了三种不同颜色的光电二极管（绿色、红色和蓝色），它们响应不同的波长。通过光电二极管测量的光强度现在可用于根据相应工厂的要求控制光源。...

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R53 OBC EMI输入滤波器的典型应用
2023-2-16 09:36

电子行业最持久的趋势之一是小型化。电力电子设计人员的目标是通过使用WBG半导体器件来提高转换效率。WBG 器件可以在高开关频率和高温下工作。它们的使用可以减小无源元件的尺寸，带来整体更紧凑的设计，并增加转换器的功率密度，...

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用于汽车应用的高性能超级电容器
2023-2-16 09:35

用于存储电能的化学电池的一种替代品是超级电容器。超级电容器也称为双电层电容器（EDLC），由涂有多孔材料的电极制成，该材料通常是碳基的，由本身被膜隔开的电解质隔开。典型的超级电容器结构如下图所示。...

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KEMET R53 X2电容器
2023-2-16 09:33

电力电子设计人员不断尝试通过提高转换效率来减小整体设计尺寸。他们这样做的一种方法是使用宽带隙（WBG）半导体器件。与传统半导体相比，WBG 器件可以在更高的开关频率和更高的温度下工作。它们的使用可以减小无源元件的尺寸，带...

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为您的应用选择合适的超级电容器
2023-2-16 09:33

电池和超级电容器经常在能量和功率方面进行比较。电池具有更高的密度（意味着它们能够每单位质量存储更多的能量），但超级电容器具有更高的功率密度（意味着它们可以更快地释放能量）。这使得超级电容器成为更快地存储和释放大量电力的最...

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A700 Plus高性能AO-CAP铝聚合物贴片电容器
2023-2-16 09:32

电源管理和小型化要求的高要求，加上整个生命周期内的高温曲线，是当今设计人员需要解决的挑战。KEMET 正在扩展 AO-CAP ® 铝聚合物 SMD 电容器，在A700 系列.KEMET 通过新的材料设置和制造流程增强了产...

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GTX三相滤波器注意事项
2023-2-16 09:30

EMI-RFI 滤波器数据表和规格中描述的内容保证了各个部件的特性和质量。使用这些部件时，请在将其安装在最终产品上时对其进行评估和检查。请注意，如果 EMI-RFI 滤波器的使用方式与 EMI-RFI 滤波器数据表和规格...

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铝碳化硅基板是什么铝碳化硅基板市场分析
2023-2-15 17:58

铝碳化硅基板是一种由铝碳化硅材料制成的电子元件基板，它具有良好的热稳定性、耐高温性、耐腐蚀性和耐电强度等特点。铝碳化硅基板可以用于电子设备的热管理，可以有效地降低电子设备的温度，从而提高其可靠性和使用寿命。...

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铝碳化硅砖是什么生产工艺和用途
2023-2-15 17:15

　　铝碳化硅砖是一种由铝、碳和硅组成的复合材料，具有良好的热导率、电绝缘性和耐磨性。可以用于电力电子设备、汽车电子设备、通信电子设备、家用电子设备和医疗电子设备等。...

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碳化硅MOSFET的关键技术和模块设计
2023-2-15 16:45

碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。...

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碳化硅MOSFET工艺和芯片制造工艺
2023-2-15 16:23

　　碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。...

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碳化硅MOSFET和IGBT的区别与联系
2023-2-15 16:19

碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。...

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碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因
2023-2-15 16:05

　　碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各种电子设备，如电源、电路板、电脑、汽车电子系统等。...

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碳化硅MOSFET的工作原理与igbt相比的差别
2023-2-15 15:43

　碳化硅MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种半导体器件，它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的电流。...

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第三代半导体材料氮化镓的性能特征
2023-2-15 15:31

　　GaN是一种无机物质，其化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是自1990年以来常用于发光二极管的直接带隙半导体。该化合物在结构上类似于金鸡石，具有高硬度。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用于高功率、高速光电子器件，...

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