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理想的开关带来了自身的挑战
2023-2-20 09:11

询问电源转换器设计人员他们希望从半导体开关中获得什么，答案可能是这样的：“低导通电阻、高关断电阻以及两种状态之间的最快转换”。当然，这个想法很简单，这给出了低功耗。SiC FET接近这一理想水平，在6V级中，导通电阻现在...

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从碳化硅场效应管晶体管中获得最佳性能
2023-2-20 09:10

性能是一个主观术语 - 它可以以任意多种方式进行衡量，但在功率转换领域，它归结为两个相互依赖的主要值，效率和成本。众所周知，硅作为半导体开关材料在传导和动态损耗性能方面都达到了极限，因此越来越多地考虑碳化硅和氮化镓宽带隙...

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可控硅的特性可控硅的使用事项
2023-2-17 18:23

　　可控硅是一种电子元件，它是一种电子开关，可以控制电流的流动，从而控制电路的功能。它由一个晶体管和一个可控硅构成，可控硅可以控制晶体管的开关，从而控制电路的功能。...

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可控硅的分类可控硅的原理
2023-2-17 17:41

　可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种电子元件，它是一种电子开关，可以根据外部电压的变化而改变其内部电流的大小。它由一个晶体管和一个可控硅构成，可控硅可以控制晶体管的开关，从而控制电路的功能。...

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信号转换器的特点信号转换器的使用事项
2023-2-17 17:21

　　信号转换器的工作原理是通过将输入信号转换成输出信号的过程来实现的。具体来说，信号转换器会将输入信号转换成输出信号，以满足特定的应用需求。信号转换器的转换过程可以通过模拟电路、数字电路或混合电路来实现。...

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信号转换器的种类信号转换器的应用
2023-2-17 16:54

　　信号转换器是一种用于将一种信号转换成另一种信号的装置，它可以将一种信号转换成另一种信号，以满足特定的应用需求。...

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IGBT管的工作特性 IGBT管的选择
2023-2-17 16:40

　　IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点...

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IGBT管的结构 IGBT管的注意事项
2023-2-17 16:14

　　IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体器件。是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。...

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场效应管的测量方法场效应管的注意事项
2023-2-17 15:56

　　场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。...

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场效应管的特点场效应管的使用优势
2023-2-17 15:44

　　场效应管是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（金属硅场效应管）、IGBT（晶体管场效应管）等。...

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JFET的工作原理 JFET的特点
2023-2-17 15:22

　　结型场效应晶体管由源极、漏极和控制极三部分组成，源极和漏极之间形成一个受控制极控制的结型场，从而控制电子流的方向，实现放大或阻断电路的功能。...

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MOS管的参数 MOS管的优缺点
2023-2-17 15:11

　　MOS管是一种金属氧化物半导体器件，它由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成，可以用于放大、滤波、改变频率、控制电流、控制电压等。...

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MOS管的原理 MOS管的特点
2023-2-17 14:51

　　MOS管是由源极、漏极、门极和金属氧化物层组成，其中金属氧化物层是MOS管的核心部分，它由一层金属和一层氧化物组成，金属层和氧化物层之间有一个很小的空隙，这个空隙可以控制电子的流动，从而控制MOS管的电流。...

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MOSFET的原理 MOSFET的优缺点
2023-2-17 14:48

　　MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。...

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功率晶体管的工作原理功率晶体管的特点
2023-2-17 14:29

　　功率晶体管的参数主要有电压限制、电流限制、功率限制、频率限制、温度限制等。这些参数都会影响功率晶体管的性能，因此在选择功率晶体管时，应该根据实际应用来选择合适的参数。...

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