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SiC-SBD和SiC-SBD的发展历程
2023-2-22 09:19

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实...

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SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较
2023-2-22 09:18

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。...

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SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较
2023-2-22 09:17

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这...

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SiC-SBD特征以及与Si二极管的比较
2023-2-22 09:16

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。...

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SiC功率元器件的开发背景和优点
2023-2-22 09:15

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。...

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何谓碳化硅
2023-2-22 09:14

表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范围很广，这点与Si相同。基于这些优势...

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可编程电源的结构可编程电源的使用事项
2023-2-21 15:40

　　可编程电源的原理是通过控制电源的输入电压和输出电流来实现的。可以控制电路中的电压和功率，从而满足不同的应用需求。此外，可编程电源还可以提供实时的电压和功率监控，从而更好地控制电路中的电压和功率。...

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可编程电源的原理可编程电源的优缺点
2023-2-21 15:16

　　可编程电源是一种可以通过计算机编程来控制电源输出的电源。它可以根据用户的需求，自动调节电源的输出电压和电流，从而满足用户的需求。可编程电源具有节能、稳定性好、可靠性高等优点，是一种非常有效的电源。...

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变频电源的原理变频电源的特点
2023-2-21 15:08

　　变频电源是在国内一般的称呼，更准确的说，应该叫交流电力频率转换器，即Ac power Frequency Converter，一般用缩写AFC来称呼。它可以把容量较小的电源输出转换成容量较大的电源输出，从而满足用户的...

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开关电源的结构开关电源的使用事项
2023-2-21 14:49

　开关模式电源简称SMPS，又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。...

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开关电源的工作特点开关电源的选型事项
2023-2-21 14:20

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。...

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用更多选择回应积极的反馈
2023-2-21 09:29

为了提供这种灵活性，UnitedSiC 提供了额外的第 4 代 750V SiC FET，导通电阻为 23、33 和 44 毫欧，以及 6、9 和 11 毫欧的部件，这是对已经推出的 18 和 60 毫欧器件的重大改进。...

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最大限度降低SiC FET的EMI的开关损耗
2023-2-21 09:26

对高效率、高功率密度和系统简单性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速开关速度、低 R 而成为电源工程师的有吸引力的选择DS（开启）和高压额定值。...

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SiC FET导通电阻随温度变化
2023-2-21 09:24

比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。...

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UnitedSiC FET射流计算机消除SiC FET选择中的猜忌
2023-2-21 09:23

电源设计工具在不断改进，仿真越来越能够在调节、效率和由此产生的损耗方面输出准确的波形和性能。不过有一个小问题：模拟器只能使用你告诉它的内容——软件很聪明，但它不会为你选择功率晶体管，它当然也不会告诉你是否选择了不是最佳的...

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