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滤波器的构成滤波器的特点
2023-2-24 11:16

　　滤波器网络：滤波器网络是滤波器的核心部分，它由各种不同的电路元件（如电容、电感、电阻等）组成，用于选择性地通过或者抑制特定频率的信号。根据不同的滤波器类型，滤波器网络可以采用不同的电路结构，例如，低通滤波器采用电容-...

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滤波器是什么滤波器的功能和作用
2023-2-24 11:15

　　滤波器是一种电子器件或电路，用于将特定频率范围内的信号通过，并抑制其他频率范围内的信号。滤波器通常用于电子信号处理和通信系统中，以滤除噪声、干扰和其他不需要的信号。...

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功率放大器的选型功率放大器的注意事项
2023-2-24 11:14

　　功率放大器属于电子设备的一种，主要用于放大电信号的幅度或功率。功率放大器的主要功能是将输入信号放大到足以驱动负载的水平。与前级放大器相比，功率放大器具有更高的放大能力和更大的输出功率。功率放大器通常用于音响系统、无线...

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功率放大器的特点功率放大器的使用方法
2023-2-24 11:13

　　功率放大器是一种电子器件，其主要作用是将低功率信号放大为高功率信号。功率放大器通常用于音响系统、无线电通信、雷达系统、激光驱动器等领域。它是电子设备中的一种关键元件，用于提供所需的输出功率和信号质量。...

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功率放大器的连接方式功率放大器的基本类型
2023-2-24 11:12

　　功率放大器主要解决低功率信号放大的问题，它可以将来自低功率信号源的电信号放大为高功率信号，以便驱动需要更高功率的负载。功率放大器的种类繁多，包括晶体管功率放大器、真空管功率放大器、MOSFET功率放大器等。不同类型的...

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功率放大器属于什么设备功率放大器的基本要求
2023-2-24 11:12

　　功率放大器属于电子设备的一种，主要用于放大电信号的幅度或功率。功率放大器通常用于音响系统、无线电通信、雷达系统、激光驱动器等领域。它是电子设备中的一种关键元件，用于提供所需的输出功率和信号质量。功率放大器的种类繁多，...

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功率放大器的工作原理功率放大器的构成
2023-2-24 11:11

　　功率放大器是一种电子器件，其主要作用是将低功率信号放大为高功率信号。功率放大器的工作原理基于放大器的放大能力。其通常由一个放大器器件（如晶体管、真空管、场效应晶体管等）组成，这个器件的放大能力决定了放大器的最大输出功...

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适合空间受限应用的低功耗精密数据采集信号链
2023-2-23 12:01

对于仪表、工业及医疗产业中的许多应用，系统设计人员开发了大量数据采集卡，与各种类型传感器实现接口，如光学、温度、压力、磁性、振动和声学传感器等等。这些传感器的输出信号通常为单端或差分信号。...

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高速差分ADC驱动器设计指南
2023-2-23 11:58

大多数现代高性能ADC使用差分输入抑制共模噪声和干扰。由于采用了平衡的信号处理方式，这种方法能将动态范围提高2倍，进而改善系统总体性能。虽然差分输入型 ADC也能接受单端输入信号，但只有在输入差分信号时才能获得最佳...

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SiC-MOSFET与IGBT的区别
2023-2-23 11:29

IGBT的低Vd（或低Id）范围（在本例中是Vd到1V左右的范围），在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题，但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时，低功率范围的效率并不高。...

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SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别
2023-2-23 11:27

本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该...

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功率晶体管的结构与特征比较
2023-2-23 11:26

使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSF...

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SiC-MOSFET的特征
2023-2-23 11:25

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶...

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SiC-SBD的可靠性试验
2023-2-23 11:24

进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以处理较大功率为前提的，更需要具备充分的可靠性。...

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使用SiC-SBD的优势
2023-2-23 11:24

SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。...

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