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精密技术平台：平滑精密设计之旅
2023-2-7 10:51

成功的模拟半导体产品往往比以数字为重点的同类产品在市场上停留的时间要长得多。这意味着，多年来，已经积累了大量的精密模拟产品目录。在模拟领域，ADI公司拥有最大的产品组合之一。当然，这是一件好事：选择专业产品意味着设计师通...

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AD8479漏斗放大器用于相关电压补充高压电流测量
2023-2-7 10:25

由于AD8479将信号衰减60倍，因此器件内部的运算放大器必须将该差分信号放大60倍，以实现单位差分增益。增益通过连接到负基准（Ref–）引脚和输出的电阻之比实现。由于此处的目标仅实现衰减，因此可以通过将输出信号馈回Re...

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应用工程师咨询：宽带A/D转换器前端设计注意事项II
2023-2-7 10:17

在高性能模数转换器（ADC）之前设计输入配置或“前端”对于实现所需的系统性能至关重要。优化整体设计取决于许多因素，包括应用的性质、系统分区和ADC架构。以下问题和答案重点介绍了影响使用放大器和变压器电路的ADC前端设计的...

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向窗口比较器添加测试功能
2023-2-7 10:03

在比较器发明后不久，可能有人想将其中两个放在一起做一个窗口比较器。如今，半导体供应商在单个硅芯片上提供两个比较器和一个基准电压源，使两个比较器的流行应用变得更加容易。本文采用ADI公司的代表性双通道比较器，展示如何在基本...

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单电源中频带对QAM信号进行数字化处理
2023-2-7 10:02

正交幅度调制（QAM）和正交相移键控（QPSK）系统比比皆是。在正交方案中，两个独立的信号（“同相”和“正交”）通过单个载波传输，利用信号分量在90°处的正交性。蜂窝标准，如国际GSM标准、美国IS54、IS95...

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具有片内电阻的双通道差动放大器实现精密ADC驱动器
2023-2-7 09:53

图8270所示的多功能双通道差动放大器AD1克服了这些限制，以最小的封装提供完整、廉价、高性能的解决方案。每个通道包括一个低失真放大器和七个经过调整的电阻，可以配置为实现具有各种增益的各种高性能放大器。所有精密电阻均集成...

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RET提供高效的48V数字开关
2023-2-7 09:21

为了减少元件数量并简化电路板设计，RET将单极或双极晶体管与集成在同一芯片上的偏置电阻相结合。另一种选择是包括一个与基极-发射极路径并联的第二个集成作为基极分压器，这提供了微调和更好的关断特性行为。由于这些内部电阻器的容...

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增强的体二极管特性可优化Qrr和Vsd
2023-2-7 09:21

MOSFET的体二极管能够让感性负载电流在MOSFET处于“关断”状态时绕开MOSFET。因此，它在同步整流（AC-DC和DC-DC）和电机控制（全桥和半桥）等许多应用中都是一个重要特性。在一个MOSFET关断和第二个M...

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利用增强型SOA缩小热插拔管脚尺寸
2023-2-7 09:20

超大规模计算通常依赖于具有超高可扩展性的服务器架构和虚拟网络。要确保设备全天24小时保持连接，热插拔功能仍然是一种关键功能。但是，要在开关效率和强大安全工作区(SOA)方面达到要求的性能水平，以前只能通过D2PAK封装(...

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沟槽肖特基技术可实现紧凑、高效的电源
2023-2-7 09:19

新的Recom RACM1200-V电源必须满足IEC60601-1的严格要求，IEC<>-<>是医疗电气设备安全和性能的一系列技术标准。这些要求包括在PCB上保持适当的爬电距离和间隙距离的安全性...

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了解有关齐纳二极管的基础知识
2023-2-7 09:18

电压不超过5 V时，在反向偏置结的耗尽区，电子从价带进入导电带形成电子贯穿，从而产生电击穿。一旦电场强度足够高，自由电荷载流子就会导致反向电流陡然增加。此效应由克拉伦斯·梅尔文·齐纳(Clarence Melvin Ze...

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适用于36V电池的高效隔离
2023-2-7 09:18

使用36 V锂离子电池供电的工具和室外电力设备变得日益常见。这类电池具有良好的功率和电池寿命搭配，同时相对轻便，易于使用。但由于能量密度比较高，因此它们需要高效的电池隔离。Nexperia的新型50/55 V专用MOSF...

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氮化镓充电器的主要优点和缺点
2023-2-5 15:46

　　第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等，适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件，可用于卫星、汽车、雷达、工业、电源管理、射频通信等诸多领域。在当前的第三代半导体材料中，氮化镓（G...

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第三代半导体材料与传统硅材料相比，有什么优势
2023-2-5 14:41

　　随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料在二极管、场效应晶体管（MOSFET）和其他元件中的不断应用，电力电子行业的技术革命已经开始。这些新组件仍然比传统硅组件昂贵得多，但它们的性能指标，如开关速度和开关损耗，...

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半导体材料应用领域的应用领域
2023-2-5 14:36

　　第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等，适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件，可用于卫星、汽车、雷达、工业、电源管理、射频通信等诸多领域。在当前的第三代半导体材料中，氮化镓（G...

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