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  • 本文作者北京交通大学电气工程学院穆峰,刘宜鑫,贾静雯,郝欣,杨勇,黄先进 摘要:随着电力电子应用越发趋于高压与高功率密度,单个模块已经无法满足其需求,功率器件的并联应用由于其经济性与可行性成为了解决该矛盾的有效方法。然而...
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  • 《工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性——偏压温度不稳定性(BTI)》 在正常使用器件时,由于半导体-氧化层界面处缺陷的产生和/或充放电,SiC MOSFET的阈值电压可能略有漂移。阈值电压的漂移可能对器件的长期...
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  • 俗话说,好马配好鞍,好IGBT自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率,最好还要有完善的保护功能,例如退饱和保护、两电平关断、软关断、欠压保护等,为IGBT的安全运行保驾护航。 然而有保护功能的驱动...
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  •   英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了EiceDRIVER X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)栅极驱动器IC。这些器件具备3、6和9...
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  • 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的...
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  • IGBT芯片采用领先的Trench+Fieldstop技术,业内首次将压降芯片的工作结温提高到150℃,并大幅降低了其导通压降VCEsat(150℃下典型值约2.7V)。此芯片可以降低系统损耗提高效率,同时也扩展了系统安...
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  • 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET,导通电阻从30mΩ到350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。 了解使用此SMD封装从而提...
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  • TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装,电流等级为20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压(650V)、一流的性价比和效率,实现简单的即插即用解决方案。 IGBT7 T7主要针...
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  • 风电,将风能转化为电能,正是新能源应用的一个重要领域。经过近百年的发展,现代风力发电机系统,从塔筒高度,叶轮直径,输出功率,控制复杂度都在不断创造新的记录,仅国内最新型风力发电机的输出功率可达10MW,塔筒高度可达115...
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  • 1 CIPOS代表什么? A.CIPOS是英文Control Integrated Power System的缩写,即控制集成电力系统。CIPOS是英飞凌独有的注册商标。 2 CIPOS Maxi智能功率模块(IPMs)...
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  • 英飞凌第四届家电生态圈群英汇日前顺利落下帷幕。本届群英汇以芯生态智生活共未来为主题,与会嘉宾就高效节能,智能家电,碳化硅和氮化镓等热点话题,分享了当下家电市场的主流应用方案和设计要点。目前视频已在英飞凌家电生态圈网站上线...
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  • 海上风电进入大兆瓦风机赛道, 对可靠性需求凸提示 2020年,中国以及全球海上风电进入快速增长期,新一轮的海上风电竞赛越发激烈,SGRE西门子歌美飒凭借14MW机型刷新了单机最大功率记录(GE:12MW),MHI-Ves...
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  • 日前,英飞凌在欧洲PCIM上介绍了PrimePack+封装的全新产品,该产品基于最新的IGBT7芯片技术,大幅提高了额定电流能力,并定义了全新的2300V芯片电压,适用于1500Vdc系统。通过不同的拓扑结构和电压等级组...
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  • 作为第三代功率半导体的绝代双骄,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界,特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如图1所示。氮化镓和碳化硅材料...
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  • 本文主要介绍了英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的组成部分以及三个优势。...
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