QjeK_yflgybdt的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

QjeK_yflgybdt

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从这几方面入手去全面了解功率MOSFET
2021-6-15 14:50

尽管分立式功率MOSFET的几何结构，电压和电流电平与超大规模集成电路（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。...

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简要分析IGBT模块的等效热路模型
2021-6-11 17:04

功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。...

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器件失效专业术语FIT和MTBF的概念
2021-5-14 10:05

在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主...

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英飞凌IGBT模块的命名规则是什么？
2021-4-1 14:26

要想搭建一个优秀的电力电子系统，正确的功率器件选型首当其冲。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号略感头痛，但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字，便能反映比如电压/电流等级、拓扑、封装等等丰富的...

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简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性
2021-3-26 16:40

前言背景：英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的...

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如何基于通用半桥模块来设计三电平变流器
2021-3-26 15:48

PPT导读通用半桥模块（infineon命名为FF）是最常见的IGBT封装型式，大规模用于两电平DC/AC变换器中，电压电流型号丰富，且具有较高的性价比。本文主要介绍基于半桥模块设计的三电平注意事项，和如何通过不同的P...

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电压型变频器驱动电机时的一些寄生高频现象
2021-3-18 18:01

在电压型变频器驱动电机时会发生一些寄生高频现象，其取决于电机系统本身的整体条件。由于逆变器du/dt变化，在导线末端会产生高频电流，它会流经轴承和所涉及到的组件。在电机中产生的轴电流可以分成三种：EDM火花引起的电流（...

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SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性分析
2021-3-11 09:22

关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。这篇微信文章将延续“仿真看世界”系列一贯之风格，借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管...

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揭开光伏辅助电源的神秘面纱
2021-3-3 15:55

随着“3060”碳中和目标的提出，一时间光伏发电行业引起了社会的广泛关注。光伏逆变器是光伏发电中至关重要的设备，承担着电池板功率控制（MPPT）以及直流交流转换（DC/AC）的重任。每一台光伏逆变器，都有一套或者两套辅助...

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碳化硅产品级别的质量认证
2021-2-8 09:38

《碳化硅产品级别的质量认证》 1. 根据实际应用条件进行超越当前标准的测试对分立器件和模块，均按相关标准进行常规检测，其中包括HTRB、H3TRB和HTGS。这些试验对于技术的发布是必不可少的，结果被记录在发布每种产品...

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SiC MOSFET体二极管双极性退化问题
2021-2-8 09:36

今天我们继续讲解《浅谈SiC MOSFET体二极管双极性退化问题》机制在双极性运行（PN结，比如MOSFET的体二极管，在导电时）条件下，任何类型的SiC器件都可能出现双极退化效应。这种效应主要是由SiC晶...

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英飞凌功率双极性半导体二极管和晶闸管的成熟技术
2021-1-29 10:18

我们已经步入第三代宽禁带半导体时代，碳化硅氮化镓是热点技术，但不能忽略，功率二极管，晶闸管还是应用最广泛的半导体器件，整流和大功率变流器需要它们，目前采用英飞凌晶闸管的全球最大HVDC装置，电压高达+/-800kV，变换...

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关于英飞凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力
2021-1-26 16:07

虽然如今设计的典型工业级IGBT可以应付大约10μs的短路时间，但SiC MOSFET几乎没有或者只有几μs的抗短路能力。这常常被误以为是SiC MOSFET的一个基本缺陷。但通过更为详细的背景分析发现，有些类型的IGB...

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SiC MOSFET在实际应用栅极开关运行条件下的参数变化
2021-2-12 17:40

《SiC MOSFET在实际应用栅极开关运行条件下的参数变化（AC BTI）》多年来，英飞凌一直在进行超越标准质量认证方法的应用相关试验，以期为最终应用确立可靠的安全运行极限。阈值电压和导通电阻在实际应用运行条件下的漂...

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关于碳化硅的抗宇宙射线能力
2021-2-13 17:24

《碳化硅的抗宇宙射线能力》半导体器件在其整个生命周期中都会受到核粒子辐射。这种辐射源自于高能宇宙粒子撞击大气层外围，并通过传播与核反应在低海拔处形成核粒子雨，参见图16。图16.在之后由宇宙粒子引发的粒子雨示意图图...

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