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QjeK_yflgybdt

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发布了文章 2018-8-6 15:08

IGBT模块单极驱动的特殊注意事项

开关IGBT T1时，主电流将从续流二极管D1换向到IGBT。由于二极管电流衰减产生的电流变化率diC2 /dt在LσE2上产生感应电压，并使T2的发射极电位变为负值。如果通过高diC /dt产生的感应电压高于IGBT的阈值电压，那么这将导...

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发布了文章 2018-7-25 10:31

如何利用英飞凌最新一代1200V TRENCHSTOP™IGBT6单管设计400ADC三相便携式逆变焊机

通过仿真和实测，IKQ75N120CS6单管方案在400ADC逆变焊机设计中，开关频率fsw=30 kHz, 输出电流=400 ADC/ 30 VDC, 输入电压=3Æ, 380 VRMS条件下，结温只有130℃左右，还是有一定余量的。可以...

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发布了文章 2018-7-23 17:23

IGBT5的产品基本特点以及相关的导通和开关电气特性

因为采用了更薄的芯片厚度和优化的芯片结构，相比前一代芯片，IGBT5的导通压降明显降低。在相同的PrimePACK™ 模块封装下对1700V IGBT5 P5和 IGBT4 P4进行测试，比较在25℃以及两款芯片各自最大允许工作结温下的输出...

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发布了文章 2018-7-17 09:06

面向电力电子和可再生能源市场

电气驱动与控制技术、智能电网、光伏、新能源汽车等行业的发展是关乎国家/地区电网、工业、轨道交通等“命脉”工程的关键！PCIM Asia，作为专注于大功率电力电子产品及驱动技术和电能质量等应用方案的国际展览平台，云集了全球电力电子元器件及相关...

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发布了文章 2018-7-16 17:25

几种能够实现快速短路保护的方法，并且通过实际测试验证了可行性

目前有4种常用的短路检测及保护方法，其原理示意图如图4所示。其中最直接的方式就是使用电流探头或者分流电阻检测漏极电流。业界最常用的方法是检测饱和压降。MOSFET正常导通时漏极电压约为1~2V。短路发生时，短路电流会迅速上升至饱和值，漏极电...

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发布了文章 2018-7-11 11:28

高频应用的高能效新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6发布

新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求....

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发布了文章 2018-6-21 10:10

英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了？

基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，针对工业电机驱动应用进行芯片优化，实现更高功率密度与更优的开关特性。...

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发布了文章 2018-6-20 14:12

英飞凌推出1EDC Compact系列驱动电路

这种电隔离驱动器的绝缘测试电压达到VISO=2500Vrms，60秒，通过了UL577认证。并且具备高达1000kHz的高开关速度，因此它们不仅能驱动IGBT，而且可以作为SiCMOSFET的驱动。...

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发布了文章 2018-6-15 10:09

为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑几个方面?

SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的这一特性，在驱动设计中考虑短路保护功能，提高系统可靠性。...

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发布了文章 2018-6-9 10:30

SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢？

图3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的输出特性对比。常温下，两个器件在40A电流下的导通压降相同。当小于40A时，CoolSiCTMMO...

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发布了文章 2018-5-28 14:22

英飞凌携手用“芯“创造美好未来浅谈碳化硅发展

2018年5月16日，“2018英飞凌碳化硅发展论坛”在深圳顺利落幕。...

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发布了文章 2018-5-11 17:00

各种SiC功率器件的研究和开发进入迅速发展时期

SiC的禁带宽度3.23ev，相应的本征温度可高达800摄氏度。如果能够突破材料及封装的温度瓶颈，则功率器件的工作温度将会提升到一个全新的高度。SiC材料拥有3.7W/cm/K的热导率，而硅材料的热导率仅有1.5W/cm/K，更高的热导率可...

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