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工程师江苏丽隽

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功率半导体行业深度报告：能源变革大时代，功率器件大市场 2023-05-15 16:40

MOSFET，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路。MOSFET 按照不同的工艺可分为平面型 Planar MOSFET、沟槽型 Trench MOSFET、屏蔽栅 SGT MOSFET 和超级结 SJ MOSFET。

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基于EDA仿真验证进行IGBT芯片研发的方法使用 2022-07-10 15:00

IGBT是综合MOS管和双极型晶体管优势特征的一种半导体复合器件，作为功率半导体分离器件的代表，广泛应用于新能源汽车、消费电子、工业控制领域，所涉及领域几乎涵盖社会的各个方面，市场需求增长空间巨大。

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Trench MOSFET结构模型分析 2022-10-08 09:48

本文基于仿真和实验方法，开展了 100VN 沟槽 MOSFET 的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析，仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布。随着沟槽深度增加击穿电压先升后降，导通电阻则表现为相反趋势;击穿电压与注入剂量具有弱相关性，阈值电压随注入剂量增加而升高;击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势，但变化幅度不大，阈值电压与厚度变化表现出强相关性。通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度 1.5μm，体区注入剂量1.3E13，栅氧化层厚度 700A，通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为 105.6V，阈值电压 2.67V，导通电阻 3.12mR，相较于仿真参数分别有 98%，94%和 75%的变化率，研究过程中相关参数设计及

我快闭嘴

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晶圆划片工艺流程及原理 2023-04-03 14:07

通常来说，对于小芯片减薄划片时使用UV膜，对于大芯片减薄划片时使用蓝膜，因为，UV膜的粘性可以使用紫外线的照射时间和强度来控制，防止芯片在抓取的过程中漏抓或者抓崩。

jt_rfid5

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同步整流基本原理 2022-11-17 14:05

导语：同步整流技术采用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管，能大大降低整流电路的损耗，提高DC/DC变换器的效率，满足低压、大电流整流器的需要。本文将从同步整流电路的原理图着手，介绍电力MOSFET的反向电阻工作区及同步整流技术的基本原理并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行分析。

唐先生

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如何避免MOSFET常见问题和失效模式 2023-04-13 16:02

今天给兄弟们分享一个infineon的文档《使用功率MOSFET进行设计，如何避免常见问题和故障模式》，依然是我觉得比较好的。

GReq_mcu168

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DC-DC开关电源的开关波形产生高频振荡的原因 2022-07-28 17:35

这一期为大家分享的是：DC-DC开关电源的开关波形产生高频振荡的原因，以及优化方案。

lhl545545

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