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射频技术
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  • 发布了帖子 2021-3-15 18:36

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    TGF2934离散GaN14 W

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `Qorvo TGF2934是SiC HEMT上的14 W（P3dB）离散GaN，其工作频率范围为DC至25 GHz，电源电压为28V。该器件采用Qorvo久经考验的QGaN15工艺制成。该设备可以支持脉冲，连续和线性操作。 频率范围：DC-25 GHz 输出功率 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-3-15 18:25

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    TGA2219-CP放大器25 W

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `Qorvo的TGA2219-CP是3级，25 W功率放大器，工作于13.4至16.5 GHz频带。这款高性能放大器采用Qorvo在SiC技术上生产的0.15um GaN制成，可提供> 30dB的小信号增益和31％的PAE，从而使系统设计人员能够以经济高效的 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-21 15:56

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    CHA6652-QXG单片GaAs大功率电路

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `CHA6652-QXG是一款三级单片GaAs大功率电路，可产生2瓦输出功率。它是高度线性的，可以进行增益控制，并集成了功率检测器。包括ESD保护。 它是专为点对点广播而设计的。 该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.15 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-21 15:54

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    CHA3660-QQG功率放大器

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `CHA3660-QQG是3级单片中功率放大器，对于19dBm输出功率可产生25dB的增益。   它设计用于商业通信系统的广泛应用。 该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-21 15:53

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    CHA2441-QAG低噪声放大器

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `CHA2441-QAG是K波段低噪声放大器，可从+ 3.3V的单个偏置电源提供25.5dB的增益，噪声系数为2.5dB。所有有源器件均自偏置在芯片上。 该电路采用0.25μm的pHEMT工艺制造。 功能  放大器– LNA 射频带宽（G ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-20 17:36

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    HMC998APM5E分布式功率放大器

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    HMC998APM5E是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，工作频率范围为DC至22 GHz。该放大器提供+15 dB增益、+42 dBm输出IP3和+32 dBm输出功率（1dB增益压缩），功耗仅为500mA（采用+15V电源）。HMC998APM5E在3至17 GH ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-20 17:27

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    RF放大器偏置控制器HMC980LP4E简介

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    HMC980LP4E是一款有源偏置控制器，可自动调整外部放大器的栅极电压，从而实现恒定的偏置电流。 HMC980LP4E集成控制器，实现了安全的电源开/关、禁用/使能和自动供电序列，从而保证外部放大器的安全性。 它可用于为A ...
    来源：芯片求购|供应发布区 标签： 放大器 控制器 RFID
  • 发布了帖子 2021-1-14 16:18

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    ADRF5044BCCZN开关ADI品牌

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    ADRF5044 是一款利用硅工艺制造的通用单极四投 (SP4T) 开关。 它采用 24 端子岸面栅格阵列 (LGA) 封装，在 100 MHz 至 30 GHz 频率范围内具有隔离程度高、插入损耗低等特点。 该宽带开关需要双电源电压（+3.3 V 和 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-14 14:15

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    VLB10050HT-R20M电感TDK品牌

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    ` 本帖最后由 射频技术 于 2021-1-20 17:36 编辑 VLB10050HT-R20M 特征 大电流贴片电感。 低调设计。 高输出处理能力：铜损最小 高饱和电流和低直流电阻。 高工作频率：高达2MHz 工作温度范围：–40至+ 125°C（包 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-8 14:25

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    BMI088高性能6轴惯性传感器

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    ` 本帖最后由 射频技术 于 2021-1-20 17:36 编辑 BMI088产品详情 BMI088是一款高性能6轴惯性传感器，由16位数字三轴±24g加速度计和16位数字三轴±2000°/ s陀螺仪组成。 BMI088允许高精度测量方向和沿三个正交轴 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-7 10:26

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    12A降压开关模式µModule稳压器LTM4626EY#PBF

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    LTM4626是一款完整的12A降压开关模式µModule（微型模块）稳压器，采用小型6.25mm × 6.25mm × 3.87mm BGA封装。封装中包含开关控制器、功率FET、电感和支持元件。在3.1V至20V的输入电压范围内工作时，LTM4626支持 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-7 10:08

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    10W GaN HEMT功率放大器CGH40010F

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行 从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案 应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT 提供高效率，高增益和宽带功能 使CGH40 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2021-1-7 09:56

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    CGHV96100F2 100W的GaN HEMT功率放大器

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `Wolfspeed的CGHV96100F2是在碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。 GaN具有比硅或砷化镓更好的性能； 包括更高的击 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
  • 发布了帖子 2020-12-15 15:06

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    CGH40010F晶体管简介

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行 从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案 应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT 提供高效率，高增益和宽带功能 使CGH400 ...
    来源：芯片求购|供应发布区 标签： 晶体管 氮化镓 GaN
  • 发布了帖子 2020-12-14 09:58

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    6030450功分器KRYTAR现货

    射频技术
    经理 深圳市立年电子科技有限公司
    `KRYTAR MLDD 2路功率分配器适合新兴的无线超宽带设计以及许多测试和测量应用。 KRYTAR使用其专有的设计来生产各种各样的匹配线定向分频器（MLDD），在宽带频率范围内具有超高性能。 KRYTAR MLDD 2路功率分配器是获 ...
    来源：芯片求购|供应发布区
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