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射频技术

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发布了帖子 2021-4-12 10:44

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290-01G发射配件

射频技术
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` 本帖最后由射频技术于 2021-4-28 15:23 编辑型号 290-01G 发射类型密封玻璃密封销钉直径 .018 主体直径 0.11 连接器插针长度 0.072 外圈长度 0.06 电路引脚长度 0.18 1090-07D &nbs ...

来源：芯片求购|供应发布区
发布了帖子 2021-4-7 14:31

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CG2H80015D-GP4 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）

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` 本帖最后由射频技术于 2021-4-8 09:16 编辑 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。 ...

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发布了帖子 2021-4-3 16:55

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DRO12000A振荡器

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` DRO系列压控振荡器是一种基本的窄带信号源，它利用高Q介质谐振器实现了最佳的相位噪声性能。目前，DRO VCO解决方案适用于在7至14 GHz范围内工作的频率。该可定制的超低噪声振荡器系列可提供电气调谐和机械调谐，以 ...

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发布了帖子 2021-4-3 16:50

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CRO3900C-LF振荡器

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` CRO或陶瓷谐振器系列振荡器以提供出色的相位噪声性能而闻名。它们在范围内可用从400 MHz到8 GHz的任何频率，同时提供非常低的调谐灵敏度以优化性能。独特的构造 CRO振荡器及其实现低调谐灵敏度超低相位噪声 ...

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发布了帖子 2021-4-3 16:46

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CLV0600A-LF振荡器

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`CLV系列VCO利用微带拓扑结构，该拓扑结构基于获得专利的高Q分布谐振器设计，可在覆盖400 MHz至4 GHz的宽频带范围内提供低相位噪声和线性调谐。它们具有出色的调谐线性度和出色的谐波抑制能力，使其成为测试设备和卫 ...

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发布了帖子 2021-4-2 17:06

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CHA2069-99F低噪声放大

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`CHA2069-99F是三级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准的pHEMT工艺制造：栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术。它以芯片形式提供。功能放大器– LNA 射频带宽（GHz）最 ...

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发布了帖子 2021-4-2 16:56

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CHM1080-98F是一款多功能单片混频器

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CHM1080-98F是一款多功能单片混频器，集成了一个平衡的亚谐波冷FET混频器和一个LO缓冲器。它既可用于上变频和下变频，也可与基带配置兼容。它专为E波段电信应用而设计，特别适合于新一代的大容量回程。该电路采 ...

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发布了帖子 2021-4-2 16:50

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CHT4660-FAB可变衰减器

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`CHT4660-FAB是一款0.5-16GHz可变衰减器，设计用于航天，军事和商业通信系统的广泛应用。该电路采用MESFET工艺制造，栅极长度为0.7µm，通过基板和气桥上的通孔。它以符合RoHS的密封SMD封装提供。功能衰减器 ...

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发布了帖子 2021-4-1 10:11

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IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管

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`IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管，专为工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空电子系统而设计。当在VCC = 50V的模式S脉冲突发条件下以C类模式运行时，此通用基本设备可提供至少800W的峰值脉冲功率。该双极晶体管利 ...

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发布了帖子 2021-4-1 10:07

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IB0810M210功率晶体管

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`IB0810M210设计用于在0.870-0.990 GHz的瞬时带宽下运行的L波段雷达系统。在C类模式下工作时，该通用基础设备在300us脉冲宽度和15％占空比的条件下可提供至少210W的峰值脉冲功率。在没有外部调谐的情况下，所有设 ...

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发布了帖子 2021-4-1 10:03

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IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管

射频技术
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`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以80W的固定输入功率提供至少650W的峰值脉冲功率。所 ...

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发布了帖子 2021-3-30 12:08

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SMM5846V1D放大器

射频技术
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`SMM5846V1D是MMIC放大器，包含一个内部匹配的四级放大器，用于27.5至29.5GHz频率范围内的标准通信频段。该产品非常适合Ka波段点对点无线电通信。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和一致的性能。高输 ...

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发布了帖子 2021-3-30 11:37

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SGNE010MK GaN-HEMT

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`住友电工的GaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低电流和宽带应用。高压操作：VDS = 50V 高功 ...

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发布了帖子 2021-3-30 11:32

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SGNE045MK晶体管

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`SUMITOMO的 SGNE045MKGaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低电流和宽带应用。高压操作：VDS ...

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发布了帖子 2021-3-29 14:20

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C20-0667定向耦合器

射频技术
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`我们的RF /微波带状线定向耦合器使用专有的电路设计，可在较宽的带宽范围内提供比竞争性带状线耦合器更高的方向性。与高方向性电桥耦合器相比，它们具有更高的频率和更多的功率处理能力，并且比我们的高功率/低损耗 ...

来源：芯片求购|供应发布区

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