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韩乐
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  • 氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用 2020-05-12 01:31
    作者：马坤 （邮箱：kuner0806@163.com） 随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别？本文我们就做一些比对；帮助大家清晰的了解GaN产品。 1．从氮化镓GaN产品的名称上对比 如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET 是GaN 功率管； 2. 从氮化镓GaN产品结构上对比 如下图所示，纳微GaN产品结构，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；电容电阻和LV GaNFET组成
    坤儿mark
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  • 采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout 2020-03-24 01:08
    采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout 作者 ：马坤 邮箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半桥应用电路图： 半桥结构应用 应用在半桥电路中，自举电路是获得大功率场效应管电源最实用有效的方法；需要注意 a.当低压侧的体二极管激活时，开关节点根据负载电流幅值变负2~4V b.片上电压调节器确保稳定的FET栅极电压 2.NV611X系列半桥应用布局示例 下面的示例图显示了半桥配置的正确布局实践。所有组件和连接均在顶层实现，允许所有其他层仅用于铜区和热通孔
    坤儿mark
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