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MDD辰达半导体

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MDD桥堆开路失效或单向导通的原因与解决方案
2025-10-16 10:08

MDD辰达半导体桥堆（BridgeRectifier）是电源电路中最基础也是最关键的整流器件，它负责将交流电（AC）转换为直流电（DC），为后级电路提供稳定的电源。然而在长期的客户应用中，FAE常常接到反馈：电源输出异常...

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MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案
2025-10-15 11:11

在电源电路中，桥堆（BridgeRectifier）是将交流电（AC）转换为直流电（DC）的关键器件。它由四个二极管组成，按特定结构连接成全波整流电路，输出经过滤波后即可得到稳定的直流电压。然而，在现场应用中，工程师常会...

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三极管漏电流偏大问题解析与解决方案
2025-9-26 11:02

在电子电路应用中，MDD辰达半导体三极管作为常见的基础器件，被广泛用于放大与开关控制。然而，工程师在测试与使用中，经常会遇到一个典型现象：三极管的漏电流（主要指反向漏电流I_CBO、I_CEO）偏大。这种现象轻则带来电路...

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三极管 PCB 布局问题与优化建议
2025-9-25 14:00

MDD辰达半导体三极管在电子电路中广泛应用于放大、开关、调制等场合。虽然器件本身的性能参数很重要，但在实际应用中，PCB布局往往直接决定了电路的稳定性、速度以及可靠性。很多工程师在调试时会发现：同样的三极管，换一个PCB...

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多颗二极管并联或串联时，电流/电压均分是否均衡？
2025-9-18 09:44

在高频电路设计中，半导体器件的寄生参数往往比静态指标更为关键。高压二极管或开关二极管在datasheet中，通常会标注一个结电容（Cj）参数。很多客户在初期选型时容易忽略它，只关注耐压、正向电流和反向恢复时间。但在实际的...

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高压二极管应用中，是否有足够铜箔/散热片，结温是否接近极限？
2025-9-17 11:42

在半导体器件的可靠性设计中，温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管、TVS管还是高压二极管，其寿命与结温（Tj）有着直接关系。客户常常会问：我的电路中参数都选对了，为什么二极管仍然失效？作为MDD辰达半导体FAE，...

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MDD开关二极管的合理 PCB 布局
2025-9-11 10:26

MDD辰达半导体的开关二极管广泛应用于电源电路、射频（RF）电路和高速信号处理等领域，其主要作用是快速导通和关断，以保证电路的正常运作。然而，开关二极管的性能不仅仅依赖于选型，还与PCB布局密切相关。合理的PCB布局能有...

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为什么开关二极管速度不够快？
2025-9-10 10:01

在电子电路设计中，二极管不仅用作整流和限幅，还常常作为开关元件应用在高频和高速电路里。此类二极管被称为开关二极管。它们的核心特性是能够快速完成导通与关断，从而不影响电路的工作速度。然而，在实际应用中，工程师常常发现：二极...

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MDD静电二极管选型只看“静电电压等级”就够了吗？
2025-9-4 10:10

在电子产品设计中，MDD辰达半导体的静电二极管是最常用的接口防护器件。许多工程师在选型时，往往会首先关注器件的ESD等级，例如标称可承受±8kV接触放电或±15kV空气放电。似乎只要电压等级够高，器件就能满足应用需求。然...

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为什么 ESD 测试能过，但实际应用还是被击坏？
2025-9-3 10:53

在电子产品的开发过程中，静电放电（ESD）测试往往是EMC测试中的重要环节之一。很多客户反馈：样机在实验室中按照IEC61000-4-2标准进行ESD测试能够顺利通过，但产品在实际使用场景中仍然会出现接口失效、芯片损坏甚...

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MDD稳压二极管开路失效问题解析
2025-8-28 09:39

MDD稳压二极管（ZenerDiode）作为电子电路中常见的电压基准与保护元件，因其反向击穿时能够提供相对稳定的电压而被广泛应用。然而，在实际使用过程中，稳压管并不是“永不失效”的器件，它也会出现开路、短路或参数漂移等问...

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稳压二极管为什么电压不稳？
2025-8-27 10:28

MDD辰达半导体的稳压二极管（ZenerDiode）因其在反向击穿区具有相对稳定的电压特性，被广泛应用于电路基准源、过压保护和小电流稳压场合。然而，在实际应用中，许多工程师或初学者会发现，稳压二极管在电路中的电压并不总是...

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浪涌多次作用后，TVS参数会不会漂移？
2025-8-21 10:01

MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭受浪...

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MDDTVS参数选型不清楚的常见问题解析
2025-8-20 10:16

在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的...

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MDD肖特基二极管的雪崩耐量及其工程意义
2025-8-14 09:40

在功率器件的参数表中，我们常看到MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在MDD肖特基二极管的规格书中，“雪崩耐量...

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