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MDD辰达半导体

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如何判断MDDESD二极管的热失效与修复
前天 10:13

MDD辰达半导体ESD二极管的热失效通常与其长时间在过电流和高温环境中工作相关。在过电压、过电流的脉冲作用下，二极管的温度可能迅速升高，超过其最大工作温度，从而导致热失效。这不仅会导致二极管的性能下降，还可能导致二极管的...

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TVS二极管的雪崩测试：原理、步骤与常见问题
3 天前

TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）广泛应用于电路中保护敏感元器件免受瞬时过电压和浪涌电流的损害。为了确保TVS二极管能够在电路中稳定有效地发挥保护作用，雪崩测试（AvalancheTesting）是评估其可靠性和性能的重...

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如何判断二极管的热失效情况
2025-12-2 10:16

在电子产品的设计和应用中，二极管作为关键的辰达半导体元件，广泛应用于整流、保护、开关等各种电路中。然而，由于二极管的工作条件（如电流、温度和功率）可能超过其额定值，容易导致热失效。二极管的热失效是指由于温度过高而引起的性...

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高频整流应用中常用的MDD二极管选择及特点
2025-12-1 10:51

高频整流广泛应用于现代开关电源、逆变器、RF电路以及通信设备中。与低频整流不同，高频整流要求二极管具备更高的开关速度、更低的反向恢复时间和更低的导通损耗。根据不同的电路需求，选用合适的MDD二极管对于提高效率、减少损耗、...

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快速定位MOS故障的常见方法与解决方案
2025-11-25 10:56

在电路设计和应用中，MDD的MOS晶体管是重要的开关元件。当MOS晶体管出现故障时，可能会导致系统无法正常工作，甚至引发损坏。对于MDDFAE工程师来说，快速定位和修复MOS故障是确保系统稳定运行的关键。本文MDD将探讨...

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PMOS 和 NMOS 的区别及其在实际应用中的选择
2025-11-24 15:56

PMOS（正极性金属氧化物半导体）和NMOS（负极性金属氧化物半导体）是两种基本的MDD辰达半导体的场效应晶体管（FET），它们的结构、工作原理和应用都有显著的差异。理解这两种晶体管的特点以及如何选择它们，在实际的电子设...

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高频整流应该选用哪些MDD二极管？核心参数与物理机制详解
2025-11-18 10:50

在高频整流应用中，选择什么MDD二极管不是简单的“耐压够就行”，而是必须综合考虑反向恢复、正向压降、漏电、温升、浪涌能力，以及最终电路效率与EMI。许多工程师在几十kHz以下仍然可以采用普通整流管，但当频率提升到40kH...

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BMS主动均衡与被动均衡的工程设计差异及核心元器件解析
2025-11-17 10:10

在电池管理系统（BMS）设计中，均衡策略始终是工程团队必须优先处理的问题之一。无论是电动两轮车、储能系统还是消费类锂电产品，电芯一致性差都会导致容量无法完全释放、整包寿命降低甚至触发过充风险。工程上最常见的两类方案是主动...

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MDD MOSFET故障的快速定位与修复方法（通用电路篇）
2025-11-13 10:04

在各类电源、电机驱动及控制电路中，MDD辰达半导体MOSFET是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快，一旦出现故障，往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDDFAE，如何快速定位问题、判断失效类...

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MDD MOS导通电阻对BMS系统效率与精度的影响
2025-11-12 11:02

在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可靠性验证过程中，经常遇到因...

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感性负载应用中整流二极管的典型问题与解决方案
2025-11-3 11:24

在各种电源、电机控制、继电器驱动及工业控制系统中，普通整流二极管常被用于抑制感性负载的反向电动势，保护驱动电路安全。然而，很多工程师在实际设计中只关注“电流够不够、耐压够不够”，忽视了电路动态特性、器件响应时间及散热问题...

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MDD 逻辑IC的功耗管理与优化策略
2025-10-30 09:49

随着数字电路设计的复杂度不断提升，功耗管理成为了系统设计中不可忽视的重要议题。尤其是在移动设备、消费电子、嵌入式系统等领域，如何降低功耗以提高能源效率和延长电池寿命，已成为设计过程中关键的考虑因素之一。对于MDD辰达半导...

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MDD 逻辑IC的逻辑电平不兼容问题与解决方案
2025-10-29 09:39

在现代电子系统中，MDD辰达半导体逻辑IC（集成电路）扮演着至关重要的角色，广泛应用于数据处理、时序控制、信号转换等各类电路中。随着技术的进步，不同逻辑系列的IC（如TTL、CMOS、BiCMOS等）不断被引入市场，它们...

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MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策
2025-10-23 09:54

在功率电子系统中，MOSFET以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而，FAE在现场调试和失效分析中发现，栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控制...

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多颗MOS并联时热分布不均，导致个别器件过热失效的原因与对策
2025-10-22 10:17

在高功率应用中，为了分担电流、降低损耗，工程师往往会将多颗MOSFET并联使用。例如在DC-DC电源、马达驱动或逆变器电路中，通过并联MOS实现更大的电流承载能力与更低的导通阻抗。然而，MDDFAE在现场常遇到这样的问题...

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