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  • 雷声公司则采取了不同的方针,在马萨诸塞州安多弗市运营其自己的制造厂。在赢得了3DLRR合同后,雷声公司还期望依赖GaN技术以升级其“爱国者”导弹防御系统。据雷声公司综合防空和导弹防御业务研发部副总裁Tim Glaeser...
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  • 采用GaN功率器件,除了可以将电源适配器与充电器体积做得更小外,在未来的5G应用中的微型基站将对GaN产生大量需求,这些基站对于电源的功率要求很高,而且要求体积做到很小。此外,目前火热的比特币矿机,挖矿的电力成本已经占到...
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  • 市场研究机构IHS Markit最新报告针对LED行业提出了一些观点: ◆在对供应商的采购计划进行评估后,IHS Markit预测,2018年将新建330个金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应室,以生产基于氮化镓(Ga...
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  • 5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产...
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  • 设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参...
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  • 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着...
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  • 最近,麻省理工学院(MIT)、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计,让氮化镓功率器件处理的电压可达1200伏。...
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  • 宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。...
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  • 12月16日,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在半导体发展战略研讨会上表示,2018年是第三代半导体产业化准备的关键期。到2025年,第三代半导体器件将在移动通信、高效电能管理中国产化率占50%;LED通用照明...
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