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  • 美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员在AIP出版的《应用物理学》上发表了研究有关,展现最具前景的超宽带化合物——氧化镓(Ga2O3)的特性、能力、电流限制和未来发展前景。...
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  • 市场在引入新技术时,成本是需要考虑的关键因素之一,但目前成本不是GaN的优势。GaN器件的主要竞争者是硅基MOSFET,后者已经上市多年,提供非常具有竞争力的成本,并且平均效率高、质量优良、可靠性极高。目前,只有EPC一...
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  • Yole电力电子技术与市场分析师Ana Villamor与意法半导体功率RF和GaN产品部经理Filippo Di Giovanni会面,讨论意法半导体与CEA-Leti在GaN研发方面的合作情况,以及未来几年功率GaN...
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  • 据麦姆斯咨询报道,2018年全球将会有超过20家的汽车业者,在OBC中使用SiC肖特基二极体(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未来SiC功率半导体在OBC市场中有望以CAGR 44%的速度成长至2...
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  • 在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。...
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  • 美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。...
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  • 推动高能效创新的安森美半导体发布了碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。...
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  • 与硅或者其他三五价器件相比,氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平,GaN具有体积小的优势。有了更小的器件,就可以减小器件电容,从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。射频电路中的一个关键组成是P...
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  • 半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。...
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  • 新兴市场碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元,推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏(PV)逆变器等方面的需求。...
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  • 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。...
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  • 以无线充电而言,电源转换(Power Conversion)于无线电源传输的设计会影响系统的总效率。 像是AC-DC、DC/Switching RF Amplifier、RF/DC Rectifier每一个建立区块(Bu...
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  • 耐威科技发力第三代半导体材料,其氮化镓材料项目宣布签约青岛。...
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  • GaN(氮化镓)相比传统硅基半导体,有着比硅基半导体出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。这首先体现了低损耗和高开关频率,低损耗可降低导阻带来的发热,高开关频率可减小变压器和电容的体积,有助于减...
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  • 在LiDAR系统中,脉冲激光器的开关速度和上升时间直接影响着LiDAR的测量精度。为了提高分辨率,电流需要尽可能快地切换通过激光器二极管。GaN技术凭借其极低的输入电容,及其相比MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管...
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