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GLeX_murata_eet

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发布了文章 2021-11-2 09:50

碳化硅功率晶体的发展方向及驱动电压限制

传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但...

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发布了文章 2021-9-24 11:06

教你如何正确地布设运算放大器

电路设计过程中，应用工程师往往会忽视印刷电路板（PCB）的布局。通常遇到的问题是，电路的原理图是正确的，但并不起作用，或仅以低性能运行。那如何正确地布设运算放大器的电路板以确保其功能、性能和稳健性呢？工程师与自己的实习生利用增益为2V/...

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发布了文章 2021-9-24 11:05

运算放大器的代表性参数详解

运算放大器中有表示特性的代表性参数。放大率和电压增益《放大率和电压增益》若给放大电路的输入增加电压，则在其输出时，会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。若将输入电压表示为Vs 、输出电压表...

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发布了文章 2021-9-17 09:20

逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为首选

自从宽带隙（WBG）器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些...

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