0BFC_eet_china的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

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关于短波接收机前端模块电路设计
2018-5-24 08:39

一个信号进来首先经过预选频，之后通过低噪放，这里的opa很关键，因为进来的信号灵敏度很低，不能随便选择一个放大器。因为越在前面一级他的噪声系数要求就越高。镜像抑制之前我的博客讲解过，涉及很多指标以后有机会再统一归纳一下。...

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如何快速的清除IGBT寄生米勒电容问题呢？
2018-5-22 09:19

通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外...

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影响电源纹波测试结果的影响因素
2018-5-19 09:11

10:1的探头会把被测信号衰减10倍再送入示波器，然后示波器再对被测信号进行10倍的数学放大。这种探头的好处是通过前面的匹配电路提升了探头带宽可以到几百MHz，而且扩展了示波器的量程，但是对于小信号的测量不是特备有利。 ...

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SD卡两种总线方式
2018-5-18 08:46

而SPI方式采用4线制，使用CS、CLK、DataIn、DataOut进行数据通信。SD方式时的数据传输速度与SPI方式要快，采用单片机对SD卡进行读写时一般都采用SPI模式。采用不同的初始化方式可以使SD卡工作于SD方...

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“909”工程缔造中国第一条8英寸集成电路生产线
2018-5-17 08:54

值得一提的是，在01和02等国家科技重大专项支持下，华虹宏力完成了8英寸特色工艺全面布局，形成了多项重大科技成果，累计申请发明专利约5800件，授权超过3000件，甚至跻身2016年全国企业发明专利授权量前十位。在国际竞...

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尚阳通科技生产的超级结MOSFET已经发展到第三代技术水平
2018-5-16 08:44

相比较于第二代产品，第三代N系列考虑系统的兼容性，可以较好的兼容客户现有产品，满足客户对驱动和EMI的适应性要求。F系列以其最优的开关速度，极低的栅极电荷，实现客户对高效率，高功率密度的要求。图6是N系列和F系列开关波形...

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魅族M15拆解：Home键具备指纹识别+压力感应功能
2018-5-15 09:04

忍不住吐槽一下，拆解M15简直噩梦，SIM卡槽口看似相对薄弱，居然在翘板撬断了的情况下，仍无法将手机一边翘起，其金属机身结构使手机结合十分紧密；此外，屏幕和背壳之间还有一层塑料缓冲层，可见在防碰撞方面也下足了功夫。...

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如何多年坚守，通过在技术上的创新与突破取得“年度本土EDA技术突破奖”
2018-5-11 09:05

同期中国IC设计公司的年复合增长率是24.6%。因此，刘伟平认为，华大九天在EDA市场取得成功，跟中国本土IC设计产业的快速成长是分不开的。当然，刘伟平也认为市场还有很大的空间与潜力。“如果按全球EDA的需求来看，海外I...

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信号完整性工程设计中常遇到的5类典型问题
2018-5-11 08:59

所以相邻的平面层要考虑，如果你把它放在表层，那它下面紧邻的平面层最好是GND。如果安排在内层呢？内层电源平面层往往被分割的很乱，如果这种磁珠滤波器用的比较多，那可能放不下。平面层放不下就得放信号层，问题又来了，夹在上...

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剖析MEMS的几种RF相关应用产品SAW,BAW, FBAR filter
2018-5-10 08:12

Piezoelectricity这词来源于希腊语 piezein，表示施加压力，1880年由两位法国物理学家(Pierre，Paul-Jacques Curie)发现。压电是指某些晶体(Crystal)受到外部压力时会产...

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静电放电（ESD）理论研究及静电放电模型
2018-5-10 08:07

对于射频天线的微波信号，如果用TVS管，压敏等容性器件来做静电防护，射频信号会被衰减，因此要求TVS的电容很低，这样增加ESD措施的成本。对于微波信号可以对地并联一个几十nH的电感来为静电提供一个放电通道，对微波信号几乎...

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嵌入式系统基础知识总结
2018-5-9 09:04

总线是各种信号线的集合，是嵌入式系统中各部件之间传送数据、地址和控制信息的公共通路。在同一时刻，每条通路线路上能够传输一位二进制信号。按照总线所传送的信息类型，可以分为：数据总线（DB）、地址总线（AB）和控制总线（CB...

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为什么序列的自相关函数可以体现出随机性？
2018-5-9 08:59

前面相关函数已作说明，那么卷积又是什么呢，有那么麻烦吗？不推荐用“反转/翻转/反褶/对称”等解释卷积。好好的信号为什么要翻转？导致学生难以理解卷积的物理意义。...

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铝电解电容的定义与组成
2018-5-9 08:55

周围温度对寿命的影响体现在电容量的减少、损耗角正切值的增大，这些现象起因是电解液从封口部分向外部渐渐扩散。电性能的时间变化和周围温度之间的关系可得出下列公式。...

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关于二极管的PN结的知识介绍
2018-5-7 08:37

PN结形成当把P型半导体和N型半导体制作在一起时，在它们的交界面处，由于两种半导体多数载流子的浓度差很大，因此P区的空穴会向N区扩散，同时，N区的自由电子也会向P区扩散，如图1所示。图中虚线箭头表示P区中空穴的移动方向...

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