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  • 发布了文章 2023-2-15 10:31
    示波器测试的值本身就存在误差的(这里我就暂时不讲解了)。现在很多公司要求测试波形图的值作为判定依据。其实示波器只是测试电压随着时间变化的过程, 主要是调试中捕获波形。...
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  • 发布了文章 2023-2-13 14:33
    晶体二极管也称为半导体二极管,简称二极管。内部由一块P型半导体和N型半导体经特殊工艺加工,在其接触面上形成一个PN结。外部有两个电极,分别称为正极(P型区一侧)和负极(N型区一侧),使用时不能将正负极接反。二极管具有单向导电性,可用于整流、...
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  • 发布了文章 2023-2-7 14:10
    LEB前沿消隐时间设短了,比尖峰脉冲的时间还短,那就没有效果了还是会误判;如果设长了,真正的过流来了起不到保护的作用。Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay,否则输出短路时,Vds会比满载时还高,超过MOSFET最大耐压就可能造成...
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  • 发布了文章 2023-2-3 14:35
    电子有两个重要参数:电荷和自旋。它们具有相同的负电荷,但电子自旋有两种:向上自旋和向下自旋。1922年通过实验验证了电子自旋,并确认了电子具有电子角动量和磁矩特征。...
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  • 发布了文章 2023-2-2 16:11
    多层陶瓷电容器是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极)制成的电容。...
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  • 发布了文章 2023-1-31 09:43
    肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形...
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  • 发布了文章 2023-1-17 10:52
    Mos开关原理(简要):Mos是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻,就是导通电阻<Rds(on)>。...
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  • 发布了文章 2023-1-15 10:23
    纹波是由于直流稳定电源的电压波动而造成的一种现象,因为直流稳定电源一般是由交流电源经整流稳压等环节而形成的,这就不可避免地在直流稳定量中多少带有一些交流成份,这种叠加在直流稳定量上的交流分量就称之为纹波。...
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  • 发布了文章 2023-1-14 14:25
    电压增益可以用于计算电压放大倍数;最大输出电压可以用于设置电源电压。...
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  • 发布了文章 2023-1-13 11:19
    闪存,和EEPROM一样可擦除可重写,差别EEPROM总是按字节操作,FLASH可以按照字节块擦除。...
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  • 发布了文章 2023-1-10 10:16
    运算放大器(简称“运放”)是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中,通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。...
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  • 发布了文章 2023-1-7 14:04
    电感元件上电流不能突变。(电感两端电压撤出后,电流不会立即消失,这样就会产生反向电动势)。...
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  • 发布了文章 2023-1-6 14:29
    B类功放放大的工作方式是当无讯号输入时,输出晶体管不导电,所以不消耗功率。当有讯号时,每对输出管各放大一半波形,彼此一开一关轮流工作完成一个全波放大,在两个输出晶体管轮换工作时便发生交越失真,因此形成非线性。...
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  • 发布了文章 2022-12-30 10:53
    ne555几乎是一个非常常见的一个芯片,在很多的电器里都能看到它的身影,本文为大家总结了一些有趣的ne555电路。...
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  • 发布了文章 2022-4-27 10:18
    现在很多现代的NAND闪存设备都采用了一种新型的架构,将接口、控制器和存储芯片集成到一个普通的陶瓷层中。 我们称之为一体结构封装。 直到最近,所有的存储卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一个非常简单的“经典”结构,...
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