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锗二极管的发展史/构造/优点/应用
2023-3-8 14:29

点接触二极管是发明的最古老的二极管类型。它是非常基本的，建立在属于半导体的材料晶体上，例如方铅矿，锌矿或碳化硅。二极管最初被用作检测无线电波的廉价而有效的方法，因为它有“猫须”。...

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如何计算齐纳二极管电阻的值？
2023-3-8 14:21

在本文中，我们将学习如何使用简单的公式计算和找到齐纳二极管电阻的值。...

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LED结中使用哪种半导体材料？LED的结构制造过程
2023-3-8 14:27

LED的完整形式是发光二极管。LED是特殊类型的半导体二极管，其响应于施加在其端子上的电位差而发光，因此称为发光二极管。就像普通二极管一样，LED也有两个极性的端子，即阳极和阴极。为了照亮LED，在其阳极和阴极端子上施加...

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CMOS逆变器的特性/功耗/横截面/电路图
2023-2-20 18:20

CMOS逆变器非常简单，它将功耗降至最低水平。它由一对增强型NMOS和PMOS组成，作为交换机运行，串联连接，如图所示。请注意，每个晶体管用作另一个晶体管的负载电阻。...

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一文详解NMOS逆变器和PMOS逆变器
2023-2-20 17:30

逆变器是反转所施加信号的逻辑元件。在数字电路中，开关或逻辑功能的二进制算术和数学操作最好使用符号0（零）和1（一）执行。如果逻辑电平为0（接地）或0 V，1（V伏），则在逆变器中，0 V的输入电平会导致输出电平为V伏，反...

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单稳态多谐振荡器作用/工作原理/电路图/波形图
2023-2-19 18:10

单稳态的定时周期由定时电容器C T和电阻器R T的时间常数确定，直到其复位或使其自身返回到其原始（稳定）状态。然后，单稳态多谐振荡器将无限期保持此原始稳定状态，直到接收到另一个输入脉冲或触发信号为止。然后，单稳态多谐振荡...

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多谐振荡器电路原理多谐振荡器电路图分享
2023-2-19 18:03

多谐振荡器是一种可以产生矩形波的自激振荡器，也称为矩形波发生器。“多”意味着除了基波外，矩形波还包含丰富的高次谐波。多谐振荡器没有稳态，只有两种瞬态。在工作过程中，电路的状态在这两种瞬态之间自动交替，从而产生矩形波脉冲信...

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模数转换器的量化方式模数转换器量化分析
2023-2-19 17:51

模数转换的量化方式有定点量化、浮点量化和离散量化。定点量化是指将模拟信号转换为有限的离散等级，以表示信号的幅值；浮点量化是指将模拟信号转换为有限的离散等级，以表示信号的幅值和相位；离散量化是指将模拟信号转换为有限的离散等...

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耗尽模式和增强模式MOS管是什么？有什么区别？
2023-2-19 17:44

耗尽型 MOSFET 类似于开路开关。在此模式下，施加栅极到源极电压（VGS）以关闭器件。当栅极电压为负时，正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此，由于电流的流动受耗尽区形成的影响，所以称为...

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IGBT芯片的电热性能分析
2023-2-19 17:35

本文对IGBT芯片的电热性能进行了广泛的研究，用于IGBT芯片中的3D封装结构。在过去的几年里，半导体技术取得了长足的进步，特别是在电力电子领域，在研究和重工业应用中的应用。绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块在高工作温度、...

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碳化硅功率器件的可靠性分析方法和过程
2023-2-19 17:27

碳化硅功率器件的可靠性是指该器件在正常工作条件下，能够持续稳定地提供所需的功率，并且不会出现故障或失效的可能性。...

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氮化镓功率器件的优缺点氮化镓功率器件的可靠性分析
2023-2-19 17:20

氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。...

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使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容
2023-2-19 17:06

本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。...

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达林顿晶体管工作原理/特点功能/电路图
2023-2-19 16:30

达林顿晶体管，这是一种高增益的双极型功率晶体管，其实质是由两只或更多晶体管复合组成的达林顿或超a对（darlington pair或Pmultip丨丨er ），复合对中一个晶体管的发射极连接到下一级晶体管的基极，各个晶体...

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达林顿晶体管增益多少达林顿晶体管增益计算公式
2023-2-19 16:18

　电流增益是晶体管最重要的特性，用hFE表示。当达林顿晶体管导通时，电流通过负载提供给电路：负载电流=i/p电流X晶体管增益...

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