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大功率碳化硅二极管的应用
2023-2-9 09:47

由于碳化硅材料的带隙很宽（4H型碳化硅在室温下约为3.26eV），碳化硅器件能够在很高的温度下工作而不至于因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓（GaAs）的5...

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碳化硅肖特基二极管的特点
2023-2-9 09:44

碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm·k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与...

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基于准垂直型氮化镓肖特基二极管的高功率微波限幅器
2023-2-8 10:02

伴随着5G通信时代的到来，数据的无线传输速率逐渐提高，同时也对射频通信器件的功率和频率范围等提出了新的需求。微波限幅器已广泛用于各种无线通信系统的射频前端接收器上，例如包括用于5G的蜂窝式移动通信系统和微波无线电通信系统...

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氮化镓功率晶体管基础
2023-2-8 09:57

一个器件的成本效益，从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝（Aluminum Nitride/Al），隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离...

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氮化镓晶体管到底有什么了不起？
2023-2-8 09:52

氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。...

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电机驱动中氮化镓技术的应用前景
2023-2-8 09:46

通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用开关电源技术，通常在16kHz左右运行，并通过脉冲宽度调制实现输出控...

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氮化镓在电力电子领域的意义
2023-2-8 09:41

许多由氮化镓（也称为GaN）制成的的东西正在电力电子领域发生变化。今天，您可以购买带有足够电量的小型USB-C充电器，它可以同时为您的笔记本电脑、手机和平板电脑供电，即使它们并不比我们的小工具多年来随附的功率低得多的版本...

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氮化镓（GaN）功率半导体应用场景及行业市场规模分析
2023-2-8 09:36

GaN功率器件包括SBD、常关型FET、级联FET等产品，主要应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。随着技术水平的进步与成本控制，GaN材料将在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V电压间发挥优势作用...

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氮化镓晶体管应用领域
2023-2-8 09:31

基于GaN的转换器在所有情况下都具有更高的效率和更低的工作温度，最高效率为 96.8%，最低 94.5%。此外，随着开关频率和死区时间的增加，基于硅的转换器表现出更高的性能下降。...

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功率半导体分立器件基础知识点介绍
2023-2-7 09:59

功率半导体分立器件的主要工艺流程包括：在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），进行芯片封装，对加工完毕的芯片进行技术性能指标测试，其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。...

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了解功率半导体分立器件分类有哪些！
2023-2-7 09:56

全控器件：通过控制信号既能够控制其导通，又能够控制其关断的功率半导体分立器件，器件有绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等；...

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功率器件和分立器件的区别
2023-2-7 09:52

功率器件是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要包含二极管、晶闸管、MOSFET和IGBT等; 其中低频的二极管、晶闸管主要用于整流，比如晶闸管主要用于直流输电领域。 MOSFET高频、功率低，主要用于开关电源、通信电...

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功率半导体分立器件的分类及应用
2023-2-7 09:50

按照器件结构，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。...

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八大维度解析IGBT分立器件哪家强？
2023-2-7 09:46

功率半导体是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。按器件集成度划分，功率半导体可以分为功率分立器件、功率模块和功率IC三大类。...

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小信号器件和功率器件又是什么？
2023-2-7 09:42

随着小信号器件概念的出现，半导体分立器件按照功率、电流指标又划分出了小信号器件及功率器件两大类：世界半导体贸易统计协会（WSTS）也将小信号器件定义为耗散功率小于1W（或者额定电流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1...

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