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电源管理IC的几种类型
2023-2-11 11:23

电源管理集成电路包括很多种类别，大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器（即LDO），以及正、负输出系列电路，此外不有脉宽调制（PWM）型的开关型电路等。因技术进步，集成电路芯片内数字电路的物理...

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电源管理IC的选用标准
2023-2-11 11:20

电源管理IC芯片的应用范围十分广泛，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关，而数字电源管理芯片的发展还需跨越成本难关。...

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电源管理电路的结构
2023-2-11 11:17

电源管理芯片在运用变压器输成电压，在面对电压的一起进行必定的阻隔，除了进步电路安全性。在阻隔器材傍边也能添加电路安全性，比照相对大的电压场景来说一般都需求阻隔器材。如接触电源的输出端或地端或许会有触电危险。在下雨天打雷...

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电源管理IC的工作原理
2023-2-11 11:14

PMIC常用于以电池作为电源的装置，例如移动电话或便携式媒体播放器。由于这类装置一般有多于一个电源（例如电池及USB电源），系统又需要多个不同电压的电源，加上要控制电池的充放电，以传统方式满足这样的需求会占用不少空间，同...

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多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件
2023-2-10 11:14

四款新型多极碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）器件。进一步扩展射频（RF）解决方案范围，适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。...

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碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为5G铺平道路
2023-2-10 11:10

许多人可能认为，既然 5G 已经开始铺开，那么4G 技术也即将退出历史舞台。但这绝不是事实，因为仍有计划为许多使用较老的 3G／4G 技术的地区提供 4G 服务，以及升级和维护 4G 服务，以便为未来 5G 基站安装做准...

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什么是氮化镓（GaN）？什么是高电子迁移率晶体管？
2023-2-10 11:05

氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体，用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓（AlGaN）薄层并在界面施加应力，从而产生二维电子气（2DEG）。2DEG用于在电场作用下，高效地传导电子。2DEG具有高...

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硅基氮化镓技术到底有啥优势？
2023-2-10 11:01

具体而言，SiC 近年来在很多领域都有应用，比如工业领域。对于 GAN 来说，可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用，例如 IGBT 这些产品都有着很好的使用，应用领域在不断增长中，其主要动力来自汽...

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射频硅基氮化镓：两个世界的最佳选择
2023-2-10 10:48

在这种情况下，氮化镓因其卓越的射频性能而成为5G mMIMO无线电的领先大功率射频功率放大器技术。然而，目前的实现方式成本过高。与硅基技术相比，氮化镓生长在昂贵的III/V族SiC晶圆上，采用昂贵的光刻技术，生产成本特别...

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硅基氮化镓介绍
2023-2-10 10:43

硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。...

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SIC碳化硅SIC二极管器件的作用与发展趋势
2023-2-9 10:09

碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料，其击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作，具有极低的开关损耗和高频工作能力，减小模块的体积和重量，显著...

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碳化硅二极管的特点
2023-2-9 10:05

碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃，那样更平稳，还大幅度降低热管散热器的要求。碳化硅二极管的关键优点取决于它具有极快的电源开关速率且无反向恢复电流量，...

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碳化硅sic二极管在PWM整流器中的应用
2023-2-9 10:01

对于大功率、高效率、超紧凑式的高功率因数整流器，直接三相整流器，诸如三电平维也纳整流器，是比较适合的整流解决方案。特别是航空电源系统，这是因为新一代的飞机将在380Hz和800Hz之间变换。为了使谐波畸变最小，整流器开关...

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碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用
2023-2-9 09:57

在硬开关连续导电模式Boost变换中，升压二极管的反向恢复会引起较大的反向恢复损耗和过高的di/dt，产生严重的电磁干扰。在提高功率因数的同时，提高开关管及半导体管的热稳定性，降低电磁干扰（EMI）、电压应力及电流应力尤...

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碳化硅MOS的结构与优势
2023-2-9 09:51

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在，需要非常特殊的...

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